[发明专利]聚合材料及制备方法、改性聚合材料和量子点发光二极管

权利要求书

1.一种聚合材料，其特征在于，所述聚合材料具有式1所示的结构：

其中，R选自具有2至20个碳原子的酰胺基、具有1至20个碳原子的酯基、具有3至20个碳原子的环烷基、具有6至80个碳原子的取代或未取代的芳烃基、具有5至80个碳原子的取代或未取代的杂芳烃基、具有2至20个碳原子的取代或未取代的烯基、具有2至20个碳原子的炔基、具有6至80个碳原子的芳氧基或具有6至80个碳原子的芳硫基；

n的范围为50～100。

2.根据权利要求1所述的聚合材料，其特征在于，所述R选自具有6至80个碳原子的取代或未取代的芳烃基或具有5至80个碳原子的取代或未取代的杂芳烃基，所述芳烃基包括联苯基或芴基，所述杂芳烃基包括二酮吡咯基或噻吩基。

3.根据权利要求1所述的聚合材料，其特征在于，所述聚合材料具有式2、式7或式9所示的结构：

4.一种改性聚合材料，其特征在于，所述改性聚合材料包括如权利要求1～3中任一项所述的聚合材料和修饰材料，所述修饰材料和所述聚合材料的氮原子通过共价键结合，所述修饰材料具有炔基。

5.根据权利要求4所述的改性聚合材料，其特征在于，所述修饰材料包括乙炔基取代的石墨烯、导电聚乙炔或乙炔基取代的富勒烯。

6.根据权利要求4所述的改性聚合材料，其特征在于，所述聚合材料和所述修饰材料的摩尔比为1:1.5～1:3。

7.根据权利要求4所述的改性聚合材料，其特征在于，所述改性聚合材料的电子迁移率为10^-3～10^-4cm²V^-1s。

8.一种聚合材料的制备方法，其特征在于，包括：将式3化合物在催化剂的作用下反应，得到式1化合物；

其中，R选自具有2至20个碳原子的酰胺基、具有1至20个碳原子的酯基、具有3至20个碳原子的环烷基、具有6至80个碳原子的取代或未取代的芳烃基、具有5至80个碳原子的取代或未取代的杂芳烃基、具有2至20个碳原子的取代或未取代的烯基、具有2至20个碳原子的炔基、具有6至80个碳原子的芳氧基或具有6至80个碳原子的芳硫基；

n的范围为50～100。

9.根据权利要求8所述的聚合材料的制备方法，其特征在于，所述催化剂为金属催化剂。

10.一种发光二极管，包括阳极层、阴极层和设置在所述阳极层与所述阴极层之间的发光层，其特征在于，所述阴极层与所述发光层之间设置有电子传输层，所述电子传输层的材料包括如权利要求1～3中任一项所述的聚合材料或如权利要求4～7中任一项所述的改性聚合材料。

11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的厚度为10～180nm。

12.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，所述发光层为量子点发光层。

13.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层的量子点材料包括硅量子点、锗量子点、硫化镉量子点、硒化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点、硫化铅量子点、硒化铅量子点、磷化铟量子点、砷化铟量子点和氮化镓量子点中的一种或多种；和/或，所述阳极层的材料包括Au、ITO、IZO、Al、Pt或Si中的一种或多种；和/或，所述阴极层的材料包括Au、ITO、IZO、Al、Pt或Si中的一种或多种。

14.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求10～13中任一项所述的发光二极管。