[发明专利]聚合材料及制备方法、改性聚合材料和量子点发光二极管在审

专利信息
申请号: 202111632201.X 申请日: 2021-12-29
公开(公告)号: CN116425971A 公开(公告)日: 2023-07-14
发明(设计)人: 梁文林 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: C08G73/02 分类号: C08G73/02;H10K50/115;H10K50/16;H10K71/00;H10K85/10;H10K101/40
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 方艳丽
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 聚合 材料 制备 方法 改性 量子 发光二极管
【说明书】:

本申请公开了一种聚合材料及制备方法、改性聚合材料和量子点发光二极管。聚合材料具有式1所示的结构,其中,R选自具有2至20个碳原子的酰胺基、具有1至20个碳原子的酯基、具有3至20个碳原子的环烷基、具有6至80个碳原子的取代或未取代的芳烃基、具有5至80个碳原子的取代或未取代的杂芳烃基、具有2至20个碳原子的取代或未取代的烯基、具有2至20个碳原子的炔基、具有6至80个碳原子的芳氧基或具有6至80个碳原子的芳硫基;n的范围为50~100。本申请的聚合材料为N=N相连共轭聚合物,具备半导体的特性,采用本申请的聚合材料作为量子点发光二极管的电子传输层,极大地促进了载流子的传输。

技术领域

本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种聚合材料及制备方法、改性聚合材料和量子点发光二极管。

背景技术

相比于液晶显示(Liquid Crystal Display,LCD)和有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode,OLED),量子点发光二极管(Quantum Dot Light EmittingDiodes,QLED)具有以下优势:1)量子点(Quantum Dots,QD)的发射光谱可调且半峰宽窄,支持更广色域;2)启亮电压低,有利于功耗的降低;3)核壳结构易于精细调控,从而获得优异的光学性能和热稳定性;4)溶液加工性能好,适用于高通量和低成本的印刷制程。因此,QLED近年来引起了学术界和产业界的广泛关注。基于有机空穴传输层和无机电子传输层的杂化器件结构,高性能的蓝光、绿光和红光QLED被相继报道。

其中,有机空穴传输层主要采用N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)-联苯胺(TPD)、聚乙烯咔唑(PVK)或[N,N'-(4-正丁基苯基)-N,N'-二苯基对苯二胺]-[9,9-二正辛基芴基-2,7-二基]共聚物(PFB)等高分子,无机电子传输层主要采用ZnO纳米晶或其衍生物。由于ZnO的电子迁移率要远大于高分子空穴传输材料,电子会在空穴传输层/发光层的界面聚集,导致载流子传输不平衡和非辐射复合。另一方面,ZnO纳米晶受环境影响较大,存在稳定性差、难以批量合成和储存等问题,导致无法兼容量产过程中的喷墨打印工艺。

发明内容

本申请提供一种聚合材料及制备方法、改性聚合材料和量子点发光二极管,解决了传统无机电子传输层材料的电子迁移率和有机空穴传输材料相差大、且稳定性差的问题。

本申请提供一种聚合材料,聚合材料具有式1所示的结构:

其中,R选自具有2至20个碳原子的酰胺基、具有1至20个碳原子的酯基、具有3至20个碳原子的环烷基、具有6至80个碳原子的取代或未取代的芳烃基、具有5至80个碳原子的取代或未取代的杂芳烃基、具有2至20个碳原子的取代或未取代的烯基、具有2至20个碳原子的炔基、具有6至80个碳原子的芳氧基或具有6至80个碳原子的芳硫基;

n的范围为50~100。

可选的,在本申请的一些实施例中,R选自具有6至80个碳原子的取代或未取代的芳烃基或具有5至80个碳原子的取代或未取代的杂芳烃基,芳烃基包括联苯基或芴基,杂芳烃基包括二酮吡咯基或噻吩基。

可选的,在本申请的一些实施例中,聚合材料具有式2、式7或式9所示的结构:

此外,本申请还提供一种改性聚合材料,改性聚合材料包括上述的聚合材料和修饰材料,修饰材料和聚合材料的氮原子通过共价键结合,修饰材料具有炔基。

可选的,在本申请的一些实施例中,修饰材料包括乙炔基取代的石墨烯、导电聚乙炔或乙炔基取代的富勒烯。

可选的,在本申请的一些实施例中,式I化合物和修饰材料的摩尔比可以为1:1.5~1:3,也可以为1:2~1:2.5。

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