[发明专利]一种射频无源器件及其制造方法

权利要求书

1.一种射频无源器件，其特征在于：该射频无源器件包括：

衬底；

位于衬底上的绝缘层；以及

射频无源器件；

其中，衬底由下至上依次包括：

第一掺杂区，以作为物理支撑；

空间电荷区，以提高衬底整体的电阻率；以及

第二掺杂区，以抑制绝缘层与衬底之间寄生反型层的形成。

2.根据权利要求1所述的射频无源器件，其特征在于：第一掺杂区为高电阻率受主掺杂区/高电阻率施主掺杂区；第二掺杂区为高浓度施主杂质掺杂区/高浓度受主杂质掺杂区。

3.根据权利要求1所述的射频无源器件，其特征在于：第二掺杂区为完全耗尽状态。

4.根据权利要求3所述的射频无源器件，其特征在于：在衬底上外加偏置电压以使第二掺杂区为完全耗尽状态。

5.根据权利要求3所述的射频无源器件，其特征在于：附加在射频无源器件上的正电压小于第二掺杂区脱离完全耗尽状态的临界电压，以第二掺杂区为完全耗尽状态。

6.根据权利要求1所述的射频无源器件，其特征在于：空间电荷区处于完全耗尽状态。

7.一种射频无源器件的制备方法，其特征在于：包括：

形成高电阻率受主掺杂区/高电阻率施主掺杂区，即第一掺杂区；

在第一掺杂区的上表面的预设区域内注入高浓度的施主杂质/受主杂质，形成第二掺杂区以及空间电荷区；

在第二掺杂区表面淀积绝缘层；

在绝缘层上形成射频无源器件。