[发明专利]一种射频无源器件及其制造方法

说明书

本发明提供一种射频无源器件及其制造方法，该射频无源器件包括：衬底；位于衬底上的绝缘层；以及射频无源器件；其中，衬底由下至上依次包括：第一掺杂区，以作为物理支撑；空间电荷区，以提高衬底整体的电阻率；以及第二掺杂区，以抑制绝缘层与衬底之间寄生反型层的形成。本发明在第一掺杂区的上表面区域形成了第二掺杂区，并使第二掺杂区处于完全耗尽状态；由于第二掺杂区处于完全耗尽状态并且掺杂浓度很高，其载流子浓度和载流子迁移率很低，可以有效抑制绝缘层与改进的衬3之间寄生反型层的形成，同时提高了该区域的电阻率，减少了电感在衬底上的损耗，解决了背景技术中的技术缺陷。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种射频无源器件及其制造方法。

背景技术

无线通信在现代社会中应用十分广泛，而射频电路是无线通信不可或缺的组成部分，它拥有发射无线信号、接收无线信号、对无线信号进行滤波等一系列重要的功能。射频电路存在于现代社会的每一个角落。小到手机、电脑、导航仪，大到无线通信基站、人造卫星，都有射频电路的身影。在未来的万物互联（Internet of Things，IoT）应用中，更不能缺少射频电路的参与。可以说，射频电路将无线通信变为可能，为人类的生活带来了极大的便利，也极大推动了人类科学技术的发展。

衡量射频电路很重要的指标是其品质因数，品质因数的定义是其能量存储与能量损耗的比值；也就是说，对于一个射频电路，其能量存储越高或者能量损耗越低，则其品质因数也就越高，代表其存储能量的能力越强。而电感的能量损耗提升，其品质因数会下降，代表其存储能量的能力也下降。

射频电路损耗的来源主要有两部分：第一部分是射频电路本身的电阻损耗，另一部分来源是射频电路在衬底上的损耗；射频电路本身的电阻跟实际的电路参数需求有关，那么如何降低射频电路在衬底上的损耗就成为一个重要的方向。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种射频无源器件及其制造方法，以降低射频电路在衬底上的损耗。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种射频无源器件，该电感元件包括：

衬底；

位于衬底上的绝缘层；以及

射频无源器件；

其中，衬底由下至上依次包括：

第一掺杂区，以作为物理支撑；

空间电荷区，以提高衬底整体的电阻率；以及

第二掺杂区，以抑制绝缘层与衬底之间寄生反型层的形成。

优选地，第一掺杂区为高电阻率受主掺杂区/高电阻率施主掺杂区；第二掺杂区为高浓度施主杂质掺杂区/高浓度受主杂质掺杂区。

优选地，第二掺杂区为完全耗尽状态。

优选地，在衬底上外加偏置电压以使第二掺杂区为完全耗尽状态。

优选地，附加在射频无源器件上的正电压小于第二掺杂区脱离完全耗尽状态的临界电压，以第二掺杂区为完全耗尽状态。

优选地，空间电荷区处于完全耗尽状态。

一种射频无源器件的制备方法，包括：

形成高电阻率受主掺杂区/高电阻率施主掺杂区，即第一掺杂区；

在第一掺杂区的上表面的预设区域内注入高浓度的施主杂质/受主杂质，形成第二掺杂区以及空间电荷区；

在第二掺杂区表面淀积绝缘层；

在绝缘层上形成射频无源器件。

本发明具有的优点和积极效果是：本发明在第一掺杂区的上表面区域形成了第二掺杂区，并使第二掺杂区处于完全耗尽状态；由于第二掺杂区处于完全耗尽状态并且掺杂浓度很高，其载流子浓度和载流子迁移率很低，可以有效抑制绝缘层与改进的衬3之间寄生反型层的形成，同时提高了该区域的电阻率，减少了电感在衬底上的损耗，解决了背景技术中的技术缺陷。