[发明专利]一种电致变色专用镀膜设备

权利要求书

1.一种电致变色专用镀膜设备，其特征在于包括：

制程室组：包括依次真空密封联接并相互独立的进片室、离子储存层制程室、第一搬运室、离子交换层制程室、第二搬运室、阴极变色层制程室和出片室，每个腔室均设有相对独立的门阀和真空泵等真空系统；

基片架：用于放置待处理的基板；

搬运系统：包括依次穿过生产线的导轨、真空升降机构、真空泵、门阀、夹紧机构、传感器与动力组件；

中央控制系统：用于控制整条生产线运行。

2.根据权利要求1所述的一种电致变色专用镀膜设备，其特征在于：所述离子储存层制程室内部设有用于沉积第一透明导电层ITO薄膜与NiW薄膜的阴极系统、ICP氧化源和加热系统，所述离子交换层制程室内部设有用于沉积Li薄膜的阴极系统，所述阴极变色层制程室内部设有用于沉积WO3薄膜、第二透明导电层ITO薄膜和SiOx薄膜的阴极系统、氧化源和加热系统；

3.根据权利要求1所述的一种电致变色专用镀膜设备，其特征在于：所述进片室与出片室设有用于抽真空的粗抽泵组，所述离子储存层制程室、第一搬运室、离子交换层制程室、第二搬运室与阴极变色层制程室均设有数量不少于一个的TMP分子泵，所述TMP分子泵与前级泵组连接，所述第一搬运室与第二搬运室设有用于水汽凝结和吸附杂质气体的装置，包括但不限于冷阱、水汽吸收器。

4.根据权利要求2所述的一种电致变色专用镀膜设备，其特征在于：所述离子储存层制程室的阴极系统包括0～3对圆柱旋转的ITO阴极系统与0～3对圆柱旋转的NiW阴极系统；所述离子交换层制程室的阴极系统为0～6对Li阴极系统，所述离子交换层制程室内还包括用于吸附真空腔室的残余气体缩短抽气时间、洁净真空腔室环境的装置，包括但不限于冷阱、水汽吸收器；所述阴极变色层制程室的阴极系统为0～4对W阴极系统、0～3对圆柱旋转的Si阴极系统和0～3对圆柱旋转的ITO阴极系统。

5.根据权利要求4所述的一种电致变色专用镀膜设备，其特征在于：所述离子储存层制程室、离子交换层制程室与阴极变色层制程室内部均设有真空升降挂片机构、可旋转伞架、进气反应气体系统与真空计，所述可旋转伞架可放置数量不少于1个基板。

6.根据权利要求1所述的一种电致变色专用镀膜设备，其特征在于：所述搬运系统还包括装片站、第一平移台、第二平移台、卸片站。

7.根据权利要求1～6任一所述的一种电致变色专用镀膜设备，其特征在于：包括以下步骤：

(1)在装片站将基板安装到空载的基片架上，夹紧机构夹紧基片架后通过第一平移台传送到进片室；

(2)基板进入进片室后门阀关闭并使用真空泵进行抽真空，进片室抽至真空后将靠近离子储存层制程室一侧的门阀打开，然后将基片架传送到已抽取至真空状态的离子储存层制程室，最后将门阀关闭；

(3)离子储存层制程室的真空升降挂片机构将基片架的基板安装到可旋转伞架上，基板装载完毕后伞架旋转并加热，进行第一透明导电层ITO薄膜沉积，第一透明导电层沉积完成后再进行离子储存层沉积，离子储存层的NiW阴极系统与ICP氧化源搭配沉积出离子储存层需要的NiW薄膜；两层薄膜沉积完成后，把基板通过真空升降挂片机构卸载下来放到基片架上，打开靠近第一搬送室的门阀并传送到已抽取至真空的第一搬送室；

(4)第一搬送室将离子储存层制程室沉积好的基板搬送到已抽真空的离子交换层制程室；第一搬送室配置水氧检测机构，实时检测搬送气氛；

(5)离子交换层制程室的真空升降挂片机构将基片架的基板安装到可旋转伞架上，基板装载完毕后伞架旋转并加热系统加热，进行离子导电层的Li薄膜沉积，Li薄膜沉积完成后，把基板通过真空升降挂片机构卸载下来放到基片架上，门阀打开并传送到已抽取至真空的第二搬送室；离子交换层制程室配置水氧检测机构，实时检测镀膜气氛；

(6)第二搬送室将离子交换层制程室沉积好的基板搬送到已抽取至真空的阴极变色层制程室；第二搬送室配置水氧检测机构，实时检测搬送气氛；

(7)阴极变色层制程室的真空升降挂片机构将基片架的基板安装到可旋转伞架上，基板装载完毕后伞架旋转并加热；然后进行电致变色层薄膜沉积，电致变色层的W阴极系统与ICP氧化源搭配沉积出电致变色层需要的WO3薄膜，电致变色层薄膜沉积完成后再进行第二透明导电层ITO薄膜沉积，最后Si阴极系统与ICP氧化源搭配沉积出离子阻挡层需要的SiOx薄膜与SiNx薄膜，三层薄膜沉积完成后，把基板通过真空升降挂片机构卸载下来放到基片架上，靠近出片室一侧的门阀打开并传送到已抽取至真空的出片室；

(8)关闭靠近阴极变色层制程室一侧的阀门后打开靠近第二平移台一侧的阀门，将基片架从出片室搬送到第二平移台上去，第二平移台将基片架搬送到卸片站，在卸片站把加工完成的基板卸下，然后基片架被传送至装片站，再次进入加工循环。