[发明专利]分离栅MOSFET及其制造方法

权利要求书

1.一种分离栅MOSFET的制造方法，其特征在于，包括：

形成从第一掺杂类型的半导体层的上表面延伸至其内部的第一槽；

利用所述第一槽形成与所述第一槽连通的第二槽，所述第一槽和所述第二槽的延伸方向一致；

形成覆盖所述第二槽内表面的第一介质层，覆盖所述第一槽内表面第二介质层；

形成位于所述第二槽的第一导体，所述第一介质层将所述第一导体与所述半导体层隔离；

形成覆盖在所述第一导体表面的第三介质层；

形成位于所述第一槽的第二导体，所述第二介质层将所述第二导体与所述半导体层隔离，所述第三介质层将所述第一导体与所述第二导体隔离；以及

形成位于所述半导体层邻近所述第一槽，并与所述第一槽相邻的第二掺杂类型的体区，

其中，所述第一槽的内径大于所述第二槽的内径。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述第一槽的方法包括：

形成从第一掺杂类型的半导体层的上表面延伸至其内部的腔体；

形成覆盖在所述腔体侧壁的塑形层，所述塑形层靠近所述腔体低部的内径小于靠近所述腔体顶部的内径，所述腔体除去所述塑形层的部分形成了所述第一槽，

其中，所述第一槽底部的内径小于所述第一槽顶部的内径，所述第二槽的内径与所述第一槽底部的内径大致相同。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述塑形层的内径由下至上逐渐变大，从而所述第一槽的内径由下至上逐渐变大。

4.根据权利要求2或3所述的制造方法，其特征在于，形成所述塑形层的方法包括：

形成覆盖在所述腔体侧壁的介质材料；

去除部分所述介质材料，以形成所述塑形层。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度大于所述第二介质层的厚度。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：

形成位于所述体区中的源区，所述源区为所述第一掺杂类型；

形成位于所述源区上方的层间介质层；以及

形成位于所述层间介质层上方的源极电极。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：

形成位于所述体区中的第二掺杂类型的体接触区；以及

形成穿透所述层间介质层以及源区到达所述体接触区的导电通道，所述源极电极经由所述导电通道连接至所述体接触区。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体层形成于半导体衬底之上，所述半导体衬底位于所述半导体层的下表面，所述半导体层的上表面与所述下表面相对，所述制造方法还包括：

形成位于所述半导体衬底的下表面的漏极电极。

9.一种分离栅MOSFET，其特征在于，包括：

第一掺杂类型的半导体层；

从所述半导体层的上表面延伸至其内部的第一槽、与所述第一槽的底部连通的第二槽，所述第一槽和所述第二槽延伸方向一致；

覆盖所述第二槽内表面的第一介质层，覆盖所述第一槽内表面第二介质层，以及位于所述第一介质层与第二介质层之间的第三介质层；

位于所述第二槽的第一导体和位于所述第一槽的第二导体，其中，所述第一介质层将所述第一导体与所述半导体层隔离，所述第二介质层将所述第二导体与所述半导体层隔离，所述第三介质层将所述第一导体与所述第二导体隔离；以及

位于所述半导体层邻近所述第一槽，并与所述第一槽相邻的第二掺杂类型的体区，

其中，所述第一槽的内径大于所述第二槽的内径。

10.根据权利要求9所述的分离栅MOSFET，其特征在于，所述第一槽的内径由下至上逐渐变大。