[发明专利]过压保护电路及装置

权利要求书

1.一种过压保护电路，其特征在于，所述电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管以及电平转化电路；

所述第一PMOS管的源极与目标芯片的外部信号端相连；所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的源极相连；所述第一PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的漏极相连；

所述第二PMOS管的漏极与目标芯片内部信号端相连；所述第二PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的漏极相连；

所述第三PMOS管的源极与所述第四PMOS管的漏极相连；所述第三PMOS管的栅极与所述第六PMOS管的源极相连；

所述第四PMOS管的栅极与所述第六PMOS管的源极相连；

所述第五PMOS管的栅极与所述第六PMOS管的栅极与所述电平转化电路相连；

当所述外部信号端的电压高于所述目标芯片的承载电压时，所述电平转化电路输出预设电压；所述预设电压与所述外部信号端的电压存在压差，控制所述第五PMOS管和所述第六PMOS管导通，所述第二PMOS管和所述第四PMOS管关闭，以实现所述目标芯片的过压保护。

2.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述电平转化电路包括：NMOS管、钳位二极管和第一电阻；

所述NMOS管的栅极连接外设的报警电路；所述NMOS管的源极接地；所述NMOS管的漏极连接所述第一电阻；所述第一电阻连接所述钳位二极管的正极；所述钳位二极管的负极与所述外部信号端相连；

当所述外部信号端的电压高于所述目标芯片的承载电压范围时，所述外设的报警电路输出所述NMOS管的导通信号；所述NMOS管导通，所述钳位二极管的正极输出所述预设电压。

3.根据权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于，所述钳位二极管的类型为：齐纳二极管。

4.根据权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于，所述电平转化电路还包括：第二电阻；

所述第二电阻与所述钳位二极管并联；所述第二电阻用于对所述钳位二极管进行分流。

5.根据权利要求4所述的过压保护电路，其特征在于，如果所述钳位二极管的反向击穿电压为VB，所述预设电压的值为所述外部信号端的电压与所述反向击穿电压的差值。

6.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述目标芯片的承载电压范围为CMOS电平范围。

7.一种过压保护装置，其特征在于，所述装置包括权利要求1～6任一项所述过压保护电路；所述装置还包括：负压泵；

所述负压泵的第一管脚与所述第四PMOS管的源极以及所述第三PMOS管的栅极相连；所述负压泵的第二管脚接地；

所述负压泵用于在所述目标芯片正常工作时，产生负电位；第一PMOS管和所述第二PMOS管导通，将所述芯片产生的CMOS电平传输到所述外部信号端。

8.根据权利要求7所述的过压保护装置，其特征在于，当所述外部信号端的电压高于所述目标芯片的承载电压时，将所述负压泵关闭。

9.根据权利要求7所述的过压保护装置，其特征在于，当所述外部信号端的电压低于所述目标芯片的工作电平时，将所述负压泵关闭。

10.根据权利要求7所述的过压保护装置，其特征在于，所述装置还包括：第三电阻；

所述负压泵的一端通过所述第三电阻与所述第三PMOS管的栅极相连；所述第三电阻用于对第三PMOS管的栅极电压进行分压。