[发明专利]用于执行光学邻近校正的方法、设备和存储介质

说明书

根据本公开的示例实施例，提供了用于执行光学邻近校正(OPC)的方法、装置、设备和计算机可读存储介质。在该方法中，通过修改第一掩模版图，确定第二掩模版图，第一掩模版图与第一精度格式的目标图案相关联。通过使用第二精度格式对第二掩模版图应用光刻模型，确定第二精度格式的晶圆图像，第二精度格式的精度低于第一精度格式。将第二精度格式的晶圆图像转换为第一精度格式的晶圆图像。使用第一精度格式确定指示第一精度格式的晶圆图像与目标图案之间的差异的度量指标。基于度量指标满足预定标准，输出第二掩模版图。以此方式，通过混合使用高精度和低精度格式，可以提高计算速度并且减少对计算资源和存储资源的消耗，从而提高执行OPC的效率。

技术领域

本公开的实施例主要涉及集成电路，并且更具体地，涉及用于执行光学邻近校正(Optical Proximity Correction,OPC)的方法、设备和计算机可读存储介质。

背景技术

随着集成电路的日益发展，设计尺寸越来越小。由于光的衍射和干涉现象，通过对掩模版进行曝光而在硅片上实际形成的晶圆图像与掩模版上的电路版图(简称为掩模版图)之间存在一定的差异。例如，晶圆图像可能出现线条宽度变窄、窄线条短点收缩、图形拐角处变圆滑等现象。

目前，OPC被广泛用于减小晶圆图像与所设计的目标图案之间的差异。OPC方法通过修改掩模版图来补偿成像，从而使得所获得晶圆图像更接近目标图案。然而，OPC方法需要模拟修改掩模版图、获得晶圆图像、以及评价晶圆图像的过程。这些过程的模拟需要消耗大量时间和计算资源。因此，需要能够高效地执行OPC的方案。

发明内容

根据本公开的示例实施例，提供了一种用于执行光学邻近校正的方案。

在本公开的第一方面中，提供了一种用于执行光学邻近校正的方法。该方法包括通过修改第一掩模版图，确定第二掩模版图，第一掩模版图与第一精度格式的目标图案相关联。方法还包括通过使用第二精度格式对第二掩模版图应用光刻模型，确定第二精度格式的晶圆图像，第二精度格式的精度低于第一精度格式。方法还包括将第二精度格式的晶圆图像转换为第一精度格式的晶圆图像。方法还包括使用第一精度格式确定指示第一精度格式的晶圆图像与目标图案之间的差异的度量指标。方法还包括基于度量指标满足预定标准，输出第二掩模版图。

以此方式，通过使用低精度的格式来确定晶圆图像以及使用高精度的格式来度量晶圆图像与目标图案之间的差异，可以提高计算速度并且减少对计算资源和存储资源的消耗，从而提高执行OPC的效率。

在本公开的第二方面中，提供了一种电子设备，包括一个或多个处理器；以及存储装置，用于存储一个或多个程序，当一个或多个程序被一个或多个处理器执行，使得一个或多个处理器执行动作。动作包括通过修改第一掩模版图，确定第二掩模版图，第一掩模版图与第一精度格式的目标图案相关联。动作还包括通过使用第二精度格式对第二掩模版图应用光刻模型，确定第二精度格式的晶圆图像，第二精度格式的精度低于第一精度格式。动作还包括将第二精度格式的晶圆图像转换为第一精度格式的晶圆图像。动作还包括使用第一精度格式确定指示第一精度格式的晶圆图像与目标图案之间的差异的度量指标。动作还包括基于度量指标满足预定标准，输出第二掩模版图。

在一些实施例中，第一精度格式包括32位浮点数格式FP32；并且第二精度格式包括16位脑浮点数格式BF16。

在一些实施例中，动作还包括：通过截断第一精度格式的尾数，将表示第一掩模版图的第一精度格式的数值转换为第二精度格式的数值。

在一些实施例中，将第二精度格式的晶圆图像转换为第一精度格式的晶圆图像包括：通过补全第二精度格式的尾数，将表示晶圆图像的第二精度格式的数值转换为第一精度格式的数值；通过对第一精度格式的数值进行插值，确定对应的第一精度格式的估计值；以及利用估计值来表示晶圆图像。

在一些实施例中，使用第二精度格式来对第二掩模版图应用光刻模型包括：使用第二精度格式来进行卷积运算和傅里叶变换运算中的至少一项。