[发明专利]具有掩埋接触和围栏的半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：

衬底；

栅电极，所述栅电极在所述衬底中沿第一方向延伸；

多个掩埋接触，所述多个掩埋接触位于所述衬底上；

沟槽，所述沟槽位于所述多个掩埋接触中的相邻的掩埋接触之间；以及

围栏，所述围栏位于所述沟槽中，其中，所述围栏位于所述栅电极上，

其中，所述围栏包括间隔物膜和填充膜，所述间隔物膜位于所述沟槽的侧壁上并且沿与所述第一方向相交的第二方向延伸，所述填充膜位于所述沟槽中并且位于所述间隔物膜上，并且

其中，相对于所述衬底，所述间隔物膜的上表面低于所述填充膜的上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：

定位焊盘，

其中，所述填充膜的至少一部分在所述第二方向上与所述间隔物膜交叠，并且

其中，所述填充膜与所述间隔物膜、所述多个掩埋接触中的至少两个掩埋接触和所述定位焊盘接触。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述间隔物膜在与所述第一方向和所述第二方向相交的第三方向上的宽度为0.5nm至10nm。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，相对于所述衬底，所述间隔物膜的所述上表面低于所述多个掩埋接触中的第一掩埋接触的上表面。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述间隔物膜与所述多个掩埋接触中的第一掩埋接触的侧壁接触。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述围栏包括在与所述第一方向和所述第二方向相交的第三方向上与所述间隔物膜间隔开的接缝。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：

栅极覆盖图案，所述栅极覆盖图案位于所述栅电极上，

其中，所述沟槽的底表面由所述栅极覆盖图案的顶表面限定，并且

其中，所述间隔物膜不沿着所述沟槽的所述底表面延伸。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述间隔物膜包括具有比所述填充膜的第二材料的第二介电常数低的第一介电常数的第一材料。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述填充膜包括氮化硅。

10.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：

衬底；

栅电极，所述栅电极在所述衬底中沿第一方向延伸；

多个掩埋接触，所述多个掩埋接触位于所述衬底上；以及

围栏，所述围栏位于所述多个掩埋接触中的相邻的掩埋接触之间的沟槽中，其中，所述围栏位于所述栅电极上，

其中，所述围栏包括间隔物膜和填充膜，所述间隔物膜位于所述沟槽的侧壁上并且沿与所述第一方向相交的第二方向延伸，所述填充膜位于所述沟槽中并且位于所述间隔物膜上，

其中，所述填充膜包括在与所述第一方向和所述第二方向相交的第三方向上具有第一宽度的第一部分和在所述第三方向上具有第二宽度的第二部分，

其中，所述第二部分位于所述第一部分上，

其中，所述第二宽度大于所述第一宽度，并且

其中，所述填充膜的所述第二部分在所述第二方向上与所述间隔物膜至少部分地交叠。

11.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述填充膜的所述第一部分在所述第三方向上与所述间隔物膜的侧壁至少部分地交叠。

12.根据权利要求10所述的半导体存储器件，

其中，相对于所述衬底，所述间隔物膜的上表面低于所述多个掩埋接触中的第一掩埋接触的上表面，并且

其中，所述间隔物膜在所述第二方向上不与所述栅电极的至少一部分交叠。