[发明专利]晶圆控片检测方法及装置

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆控片检测方法及装置。所述晶圆控片检测方法包括如下步骤：拍摄一待检测的晶圆控片的原始图像；根据所述原始图像获取所述晶圆控片的第一缺陷信息，所述第一缺陷信息包括多个缺陷类型、以及每一所述缺陷类型在所述晶圆控片上的位置；根据所述第一缺陷信息对所述晶圆控片进行电子束扫描，获取每一所述缺陷类型的缺陷图像。本发明提高了晶圆控片检测的效率和准确度。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆控片检测方法及装置。

背景技术

随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3D NOR(3D或非)闪存和3D NAND(3D与非)闪存。

其中，3D NAND存储器以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度，高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。

在3D NAND存储器等半导体器件的制造过程中，通过晶圆控片来监测半导体处理机台是否存在缺陷，是保证半导体器件产品良率极为重要的手段。在采用所述半导体处理机台对所述控片进行处理之后，需要检测晶圆控片上的缺陷。但是，当前检测晶圆控片上的缺陷的方法不仅检测效率低，而且检测的准确度也不高。

因此，如何提高晶圆控片上缺陷的检测效率以及检测准确度，从而准确的监控半导体处理机台的性能，是当前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种晶圆控片检测方法及装置，用于解决现有技术中晶圆控片上的缺陷检测效率低的问题，并提高晶圆控片上缺陷检测的准确度。

为了解决上述问题，本发明提供了一种晶圆控片检测方法，包括如下步骤：

拍摄一待检测的晶圆控片的原始图像；

根据所述原始图像获取所述晶圆控片的第一缺陷信息，所述第一缺陷信息包括多个缺陷类型、以及每一所述缺陷类型在所述晶圆控片上的位置；

根据所述第一缺陷信息对所述晶圆控片进行电子束扫描，获取每一所述缺陷类型的缺陷图像。

可选的，拍摄一待检测的晶圆控片的原始图像之前还包括如下步骤：

于一量测机台内部量测所述晶圆控片的第二缺陷信息，所述第二缺陷信息至少包括缺陷的数量；

判断所述缺陷的数量是否超过阈值，若是，则于所述量测机台内部拍摄所述晶圆控片的所述原始图像。

可选的，所述量测机台包括用于承载所述晶圆控片的承载台；于所述量测机台内部拍摄所述晶圆控片的所述原始图像的具体步骤包括：

通过位于所述承载台上方的图像传感器拍摄所述晶圆控片的所述原始图像。

可选的，通过位于所述承载台上方的图像传感器拍摄所述晶圆控片的所述原始图像的具体步骤包括：

于暗场中向所述晶圆控片发射激光信号；

通过位于所述承载台上方的图像传感器拍摄所述晶圆控片的所述原始图像。

可选的，根据所述原始图像获取所述晶圆控片的第一缺陷信息的具体步骤包括：

获取所述原始图像的亮度分布信息，所述亮度分布信息包括所述晶圆控片上的多个位置、以及与多个所述位置一一对应的多个亮度；

根据所述亮度分布信息获取所述晶圆控片中的所述第一缺陷信息。