[发明专利]一种减少结晶物堆积的晶圆清洗装置在审
申请号: | 202111643608.2 | 申请日: | 2021-12-29 |
公开(公告)号: | CN114420592A | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 陈新来;邓信甫;唐宝国;徐铭 | 申请(专利权)人: | 至微半导体(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02;B08B5/02 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 200241 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 减少 结晶 堆积 清洗 装置 | ||
1.一种减少结晶物堆积的晶圆清洗装置,其特征在于,包括:
清洗仓;
晶圆承载台,所述晶圆承载台设置于所述清洗仓内;
第一吹气机构,所述第一吹气机构设置于所述晶圆承载台的上表面,且所述第一吹气机构上设置有若干第一吹气口;
旋转支撑机构,所述旋转支撑机构与所述晶圆承载台连接,所述旋转支撑机构用于驱动所述晶圆承载台的转动;
排气机构,所述排气机构的吸气端设置于所述清洗仓的下部,所述排气机构用于排出所述清洗仓内的气体;
清洗机构,所述清洗机构具有一清洗喷嘴,所述清洗喷嘴设置于所述晶圆承载台的正上方。
2.根据权利要求1所述的减少结晶物堆积的晶圆清洗装置,其特征在于,所述清洗仓的内壁呈光滑的曲面设置。
3.根据权利要求1所述的减少结晶物堆积的晶圆清洗装置,其特征在于,所述曲面的上端向内弯曲设置,所述曲面的下端向内弯曲设置,所述曲面的中部相对于所述曲面的上端和下端向外凸出设置。
4.根据权利要求1所述的减少结晶物堆积的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第一吹气机构的外轮廓呈扁平的锥台形结构,所述锥台形结构的外缘形成有一环形面,所述环形面的上端的外径小于所述环形面的下端的外径,所述环形面上开设有若干所述第一吹气口。
5.根据权利要求4所述的减少结晶物堆积的晶圆清洗装置,其特征在于,若干所述第一吹气口沿所述环形面的外缘均匀设置。
6.根据权利要求1所述的减少结晶物堆积的晶圆清洗装置,其特征在于,每一所述吹气口的轴线均倾斜向上设置,每一所述吹气口的轴线的均朝向所述晶圆承载台的下表面的外缘设置。
7.根据权利要求1所述的减少结晶物堆积的晶圆清洗装置,其特征在于,还包括:第一送气装置,所述第一送气装置通过管路与所述第一吹气机构连接。
8.根据权利要求1所述的减少结晶物堆积的晶圆清洗装置,其特征在于,还包括:第二吹气机构,所述第二吹气机构安装于所述清洗装置上,所述第二吹气机构上设置有若干第二吹气口,每一所述第二吹气口均朝向所述承载台的上表面设置。
9.根据权利要求8所述的减少结晶物堆积的晶圆清洗装置,其特征在于,若干所述第二吹气口沿所述第二吹气机构的外缘均匀设置,每一所述第二吹气口的轴线均倾斜向下设置。
10.根据权利要求1所述的减少结晶物堆积的晶圆清洗装置,其特征在于,所述排气机构包括:遮挡环、排气装置本体和若干排气嘴,所述遮挡环设置于所述清洗仓的内壁的下部,所述遮挡环的内缘向内且向下延伸设置,若干所述排气嘴均匀设置于所述遮挡环的底部,每一所述排气嘴均通过管路与所述排气装置本体连接。
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