[发明专利]一种减少结晶物堆积的晶圆清洗装置在审
申请号: | 202111643608.2 | 申请日: | 2021-12-29 |
公开(公告)号: | CN114420592A | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 陈新来;邓信甫;唐宝国;徐铭 | 申请(专利权)人: | 至微半导体(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02;B08B5/02 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 200241 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 减少 结晶 堆积 清洗 装置 | ||
本发明公开了一种减少结晶物堆积的晶圆清洗装置,包括:清洗仓;晶圆承载台,晶圆承载台设置于清洗仓内;第一吹气机构,第一吹气机构设置于晶圆承载台的上表面,且第一吹气机构上设置有若干第一吹气口;旋转支撑机构,旋转支撑机构与晶圆承载台连接,旋转支撑机构用于驱动晶圆承载台的转动;排气机构,排气机构的吸气端设置于清洗仓的下部,排气机构用于排出清洗仓内的气体;清洗机构,清洗机构具有一清洗喷嘴,清洗喷嘴设置于晶圆承载台的正上方。通过对本发明的应用,在第一吹气机构和排气机构于清洗仓内的相互配合下,使得清洗仓内的气流状态保持稳定,尽可能减少了清洗液在晶圆片的边缘或底部产生结晶堆积,进一步保障了晶圆片的清洗质量。
技术领域
本发明涉及晶圆清洗技术领域,尤其涉及一种减少结晶物堆积的晶圆清洗装置。
背景技术
在对单片晶圆进行清洗的过程中,往往需要单片晶圆在相应的承载机构上进行旋转,且一边旋转一边对晶圆的上表面喷淋清洗液,从而使得清洗液能够完全地扩散于晶圆的表面,而随着承载机构的进一步旋转使得清洗液在离心力的作用下向外甩出。然而,现有的晶圆清洗设备内往往还设置有用于通入气体的部分,但这也使得晶圆清洗设备内的气流状态并不稳定,进一步导致了晶圆的底部或者边缘处存在清洗液的结晶堆积,大大影响了晶圆的清洗质量。
发明内容
有鉴于此,为解决上述问题,本发明的目的在于提供一种减少结晶物堆积的晶圆清洗装置,包括:
清洗仓;
晶圆承载台,所述晶圆承载台设置于所述清洗仓内;
第一吹气机构,所述第一吹气机构设置于所述晶圆承载台的上表面,且所述第一吹气机构上设置有若干第一吹气口;
旋转支撑机构,所述旋转支撑机构与所述晶圆承载台连接,所述旋转支撑机构用于驱动所述晶圆承载台的转动;
排气机构,所述排气机构的吸气端设置于所述清洗仓的下部,所述排气机构用于排出所述清洗仓内的气体;
清洗机构,所述清洗机构具有一清洗喷嘴,所述清洗喷嘴设置于所述晶圆承载台的正上方。
在另一个优选的实施例中,所述清洗仓的内壁呈光滑的曲面设置。
在另一个优选的实施例中,所述曲面的上端向内弯曲设置,所述曲面的下端向内弯曲设置,所述曲面的中部相对于所述曲面的上端和下端向外凸出设置。
在另一个优选的实施例中,所述第一吹气机构的外轮廓呈扁平的锥台形结构,所述锥台形结构的外缘形成有一环形面,所述环形面的上端的外径小于所述环形面的下端的外径,所述环形面上开设有若干所述第一吹气口。
在另一个优选的实施例中,若干所述第一吹气口沿所述环形面的外缘均匀设置。
在另一个优选的实施例中,每一所述吹气口的轴线均倾斜向上设置,每一所述吹气口的轴线的均朝向所述晶圆承载台的下表面的外缘设置。
在另一个优选的实施例中,还包括:第一送气装置,所述第一送气装置通过管路与所述第一吹气机构连接。
在另一个优选的实施例中,还包括:第二吹气机构,所述第二吹气机构安装于所述清洗装置上,所述第二吹气机构上设置有若干第二吹气口,每一所述第二吹气口均朝向所述承载台的上表面设置。
在另一个优选的实施例中,若干所述第二吹气口沿所述第二吹气机构的外缘均匀设置,每一所述第二吹气口的轴线均倾斜向下设置。
在另一个优选的实施例中,所述排气机构包括:遮挡环、排气装置本体和若干排气嘴,所述遮挡环设置于所述清洗仓的内壁的下部,所述遮挡环的内缘向内且向下延伸设置,若干所述排气嘴均匀设置于所述遮挡环的底部,每一所述排气嘴均通过管路与所述排气装置本体连接。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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