[发明专利]一种氮化镓器件图形化衬底的湿法制作方法及图形化衬底在审
| 申请号： | 202111643609.7 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114420555A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 邓信甫;唐宝国;丁立 | 申请（专利权）人： | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 器件 图形 衬底 湿法 制作方法 | ||
1.一种氮化镓器件图形化衬底的湿法制作方法，其特征在于，包括：
步骤S1：于基板上形成一掩膜层；
所述掩膜层上具有多个第一突出部；
步骤S2：对所述基板进行湿法蚀刻以形成一过渡层；
步骤S3：对所述过渡层进行表面修饰，以形成图形化衬底。
2.根据权利要求1所述的湿法制作方法，其特征在于，所述步骤S1包括：
步骤S11：于所述基板上蒸镀所述掩膜层；
步骤S12：对所述掩膜层进行等离子蚀刻以在所述掩膜层上形成所述第一突出部。
3.根据权利要求1所述的湿法制作方法，其特征在于，所述第一突出部为半球状或三角锥或圆台状。
4.根据权利要求1所述的湿法制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述湿法蚀刻的蚀刻厚度与所述突出部的高度相同，以在基板上形成与所述第一突出部相匹配的第二突出部。
5.根据权利要求1所述的湿法制作方法，其特征在于，所述步骤S3包括：
步骤S31：于所述过渡层上涂覆光刻胶；
步骤S32：对所述过渡层进行湿法蚀刻；
步骤S33：剥离所述光刻胶以形成所述图形化衬底。
6.根据权利要求5所述的湿法制作方法，其特征在于，所述步骤S31还包括：
于所述过渡层的凹陷部和所述第二突出部涂覆所述光刻胶，以暴露所述过渡层的所述凹陷部与所述第二突出部的过渡区域。
7.根据权利要求5所述的湿法制作方法，其特征在于，所述步骤S31还包括：
于所述过渡层的凹陷部和所述第二突出部的外沿区域涂覆所述光刻胶，以暴露所述第二突出部的中心区域。
8.根据权利要求1所述的湿法制作方法，其特征在于，所述衬底的材质为硅或蓝宝石或氮化镓铝。
9.一种图形化衬底，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上具有多个第二突出部；
所述第二突出部为半球状或三角锥或圆台状，均匀分布于所述衬底上；
所述第二突出部采用如权利要求1-8任意一项所述的湿法制作方法形成。
10.根据权利要求9所述的图形化衬底，其特征在于，所述衬底的材质为为硅或蓝宝石或氮化镓铝。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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