[发明专利]一种氮化镓器件图形化衬底的湿法制作方法及图形化衬底

说明书

本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种氮化镓器件图形化衬底的湿法制作方法及图形化衬底，包括：步骤S1：于基板上形成一掩膜层；所述掩膜层上具有多个第一突出部；步骤S2：对所述基板进行湿法蚀刻以形成一过渡层；步骤S3：对所述过渡层进行表面修饰，以形成所述图形化衬底。本发明的有益效果在于：通过掩膜层和过渡层实现了对衬底的二次加工，在衬底表面形成较为准确的微结构的同时实现了对衬底表面的进一步修饰，避免了现有技术中因离子蚀刻工艺导致的器件表面损伤的问题。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种图形化衬底的湿法制作方法及图形化衬底。

背景技术

图形化衬底，指基于半导体加工工艺在衬底表面加工出微结构的衬底材料。由于该类衬底表面的特殊结构，可以使得在其上方制备氮化镓器件时，使得氮化镓材料自纵向外延转变为横向外延。一方面，可以减少氮化镓外延材料部分的位错密度，从而减小有源区的非辐射符合，减小反向漏电流，提高发光二极管器件的寿命。另一方面，通过设置图形化衬底可以使得有源区发出的光，经过氮化镓材料和蓝宝石衬底的界面处进行多次散射，改变全反射光的出射角，进而增加了倒装发光二极管器件产生的光线自蓝宝石衬底处出射的概率，进而实现器件整体的光提取效率的提高。综合这两方面的原因，使得图形化衬底上生长的发光二极管器件的出射光亮度比传统的发光二极管器件大大提高，同时反向漏电流减小，发光二极管器件的寿命也得到了延长。

现有技术中，已存在有基于离子蚀刻工艺实现的图形化衬底。但是，在实际实施过程中，发明人发现，由于离子蚀刻工艺本身会对加工器件表面造成一定的损伤，进而使得基于离子蚀刻工艺加工出的图形化衬底一致性较差，进而使得器件良率降低。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种氮化镓器件图形化衬底的湿法制作方法及图形化衬底。

具体技术方案如下：

一种氮化镓器件图形化衬底的湿法制作方法，包括：

步骤S1：于基板上形成一掩膜层；

所述掩膜层上具有多个第一突出部；

步骤S2：对所述基板进行湿法蚀刻以形成一过渡层；

步骤S3：对所述过渡层进行表面修饰，以形成所述图形化衬底。

优选地，所述步骤S1包括：

步骤S11：于所述基板上蒸镀所述掩膜层；

步骤S12：对所述掩膜层进行等离子蚀刻以在所述掩膜层上形成所述第一突出部。

优选地，所述第一突出部为半球状或三角锥或圆台状。

优选地，所述步骤S2中，所述湿法蚀刻的蚀刻厚度与所述突出部的高度相同，以在基板上形成与所述第一突出部相匹配的第二突出部。

优选地，所述步骤S3包括：

步骤S31：于所述过渡层上涂覆光刻胶；

步骤S32：对所述过渡层进行湿法蚀刻；

步骤S33：剥离所述光刻胶以形成所述图形化衬底。

优选地，所述步骤S31还包括：

于所述过渡层的凹陷部和所述第二突出部涂覆所述光刻胶，以暴露所述过渡层的所述凹陷部与所述第二突出部的过渡区域。

优选地，所述步骤S31还包括：

于所述过渡层的凹陷部和所述第二突出部的外沿区域涂覆所述光刻胶，以暴露所述第二突出部的中心区域。

优选地，所述衬底的材质为硅或蓝宝石或氮化镓铝。