[发明专利]一种基板、封装结构、板级架构以及基板的制作方法在审

专利信息
申请号: 202111644558.X 申请日: 2021-12-29
公开(公告)号: CN114501779A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 于超伟;谢振霖;高峰 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H05K1/02 分类号: H05K1/02;H05K1/03;H05K1/11;H05K1/16;H05K3/30
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 孙静;臧建明
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 封装 结构 架构 以及 制作方法
【权利要求书】:

1.一种基板,其特征在于,包括:扇出结构和至少一组扇入结构,每组所述扇入结构内具有扇入过孔,所述扇出结构内具有与所述扇入过孔对应的扇出过孔,所述扇入过孔与所述扇出过孔导通;

且每组所述扇入结构与所述扇出结构之间通过烧结工艺层叠相连。

2.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,每组所述扇入结构与所述扇出结构之间均设有半固定化层,所述半固定化层中设有与所述扇入过孔和所述扇出过孔均对应的烧结层;

所述烧结层分别与所述扇入过孔和所述扇出过孔通过烧结工艺相连,且所述扇入过孔通过所述烧结层与所述扇出过孔导通。

3.根据权利要求2所述的基板,其特征在于,

所述扇入结构面向所述半固定化层的一面上设有呈图形化设计的第一扇入导电层,所述第一扇入导电层与所述扇入过孔电连接;

所述扇出结构面向所述半固定化层的一面上设有呈图形化设计的第一扇出导电层,所述第一扇出导电层与所述扇出过孔电连接;

所述烧结层位于所述第一扇入导电层和所述第一扇出导电层之间,且所述烧结层分别与所述第一扇入导电层和所述第一扇出导电层通过烧结相连,以导通所述扇入过孔和所述扇出过孔。

4.根据权利要求1-3任一所述的基板,其特征在于,每组所述扇入结构包括:扇入布线层,所述扇入布线层内设有所述扇入过孔,以及与所述扇入过孔电连接的第二扇入导电层。

5.根据权利要求4所述的基板,其特征在于,所述扇入布线层包括至少一层扇入介电层,每层所述扇入介电层包括扇入介质层、设在所述扇入介质层内的所述扇入过孔,以及设在所述介质层上的所述第二扇入导电层。

6.根据权利要求5所述的基板,其特征在于,所述扇入介电层为多层,且所述多层扇入介电层中最顶端的所述扇入介电层中的相邻两个所述第二扇入导电层之间的间距小于等于130um。

7.根据权利要求5或6所述的基板,其特征在于,所述扇入介质层为氧化硅、聚酰亚胺或聚丙烯制成的绝缘层。

8.根据权利要求4-6任一所述的基板,其特征在于,每组所述扇入结构还包括:扇入载板,所述扇入载板与所述扇入布线层层叠设置,所述扇入载板上开设有所述扇入过孔,所述扇入载板内的所述扇入过孔与所述扇入布线层内的所述扇入过孔导通。

9.根据权利要求8所述的基板,其特征在于,所述扇入载板位于所述扇入布线层与所述扇出结构之间,且所述扇入载板与所述扇出结构通过烧结工艺相连。

10.根据权利要求9所述的基板,其特征在于,所述扇入载板内的相邻两个所述扇入过孔之间的间距大于等于300um且小于等于500um。

11.根据权利要求8所述的基板,其特征在于,所述扇入布线层位于所述扇入载板和所述扇出结构之间,所述扇入布线层与所述扇出结构烧结相连;

且所述扇入载板背向所述扇入布线层的一面上设有所述第二扇入导电层。

12.根据权利要求11所述的基板,其特征在于,所述扇入载板上的相邻两个所述第二扇入导电层的间距小于等于130um。

13.根据权利要求8-12任一所述的基板,其特征在于,所述扇入载板的热膨胀系数小于5ppm,所述扇入载板的弹性模量大于或等于100Gpa。

14.根据权利要求13所述的基板,其特征在于,所述扇入载板为无机材料制成的无机板。

15.根据权利要求14所述的基板,其特征在于,所述无机板为玻璃板或陶瓷板。

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