[发明专利]半导体器件的封装结构

权利要求书

1.一种半导体器件的封装结构，包括：

基板，在所述基板的上表面上具有焊接区域；

第一半导体器件，包括第一管芯和第一封盖板，所述第一管芯键合到所述第一封盖板的上表面；

第一导电凸块，设置在所述第一半导体器件的第一封盖板的下表面的焊盘上，用于电连接到所述焊接区域中的焊盘；

第二半导体器件，设置在所述第一半导体器件上方，包括第二管芯和第二封盖板，所述第二管芯键合到所述第二封盖板的上表面，所述第二封盖板的下表面的第一区域具有用于容纳所述第一半导体器件的凹槽；

第二导电凸块，设置在所述第二半导体器件的第二封盖板的下表面的第二区域中的焊盘上，用于电连接到所述焊接区域中的焊盘，所述第二导电凸块的长度大于所述第一导电凸块的长度；以及

封装胶体，覆盖所述第一半导体器件、所述第一导电凸块、所述第二半导体器件和所述第二导电凸块。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述基板是由选自树脂、陶瓷和金属中的至少一种材料制成的封装基板或引线框架。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述第一管芯是双工器中的发射滤波器和接收滤波器中的一个，并且所述第二管芯是所述双工器中的发射滤波器和接收滤波器中的另一个。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述第一封盖板具有用于提供所述第一管芯与所述第一导电凸块的电连接的硅通孔和重布线层，以及

其中，所述第二封盖板具有用于提供所述第二管芯与所述第二导电凸块的电连接的硅通孔和重布线层。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述第一区域位于所述第二封盖板的下表面的中心，并且所述第二区域位于所述第二封盖板的下表面的外周。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述第一导电凸块和所述第二导电凸块中的每一个由铜、铝或者它们的合金制成。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述第一导电凸块和所述第二导电凸块中的每个使用焊球通过焊料焊接工艺、热压焊接工艺、热声焊接工艺和粘胶连接工艺中的至少之一电连接到所述基板的上表面上的焊接区域中的焊盘。

8.根据权利要求7所述的封装结构，其中，所述焊球是有铅焊球或无铅焊球。

9.根据权利要求7所述的封装结构，其中，所述焊球由铜、镍、锡、银或者它们的合金制成。

10.根据权利要求7所述的封装结构，其中，所述焊球设置在所述第一导电凸块和所述第二导电凸块的顶面上。

11.根据权利要求7所述的封装结构，其中，所述焊球设置在所述基板的上表面上的焊接区域中的焊盘上。

12.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述第一封盖板和所述第二封盖板中的每一个由硅材料或树脂材料制成。

13.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述第二封盖板的下表面的第一区域中的凹槽通过刻蚀工艺形成。

14.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述封装胶体是可固化树脂材料。

15.一种电子元件的封装方法，包括：

制备基板，在所述基板的上表面上具有焊接区域；

通过第一导电凸块将将第一半导体器件倒装在所述焊接区域中，其中，所述第一半导体器件包括第一管芯和第一封盖板，所述第一管芯键合到所述第一封盖板的上表面，以及其中，第一导电凸块设置在所述第一半导体器件的第一封盖板的下表面的焊盘上，用于电连接到所述焊接区域中的焊盘；

在所述第一半导体器件上方通过第二导电凸块将将第二半导体器件倒装在所述焊接区域中，其中，所述第二半导体器件包括第二管芯和第二封盖板，所述第二管芯键合到所述第二封盖板的上表面，所述第二封盖板的下表面的第一区域具有用于容纳所述第一半导体器件的凹槽，以及其中，第二导电凸块设置在所述第二半导体器件的第二封盖板的下表面的第二区域中的焊盘上，用于电连接到所述焊接区域中的焊盘，所述第二导电凸块的长度大于所述第一导电凸块的长度；以及

形成覆盖所述第一半导体器件、所述第一导电凸块、所述第二半导体器件和所述第二导电凸块的封装胶体。