[发明专利]半导体器件的封装结构

说明书

本公开提供了一种半导体器件的封装结构。该封装结构包括：基板，其上表面上具有焊接区域；第一半导体器件，包括第一管芯和在上表面与第一管芯键合的第一封盖板；第一导电凸块，设置在第一封盖板的下表面的焊盘上；第二半导体器件，设置在第一半导体器件上方，包括第二管芯和在上表面与第二管芯键合的第二封盖板，第二封盖板的下表面的第一区域具有用于容纳第一半导体器件的凹槽；第二导电凸块，设置在第二封盖板的下表面的第二区域中的焊盘上，第二导电凸块的长度大于第一导电凸块的长度；和封装胶体，覆盖第一和第二半导体器件以及第一和第二导电凸块。根据本公开的半导体器件的封装结构，能够减小半导体器件的封装结构的尺寸并且降低其成本。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，特别地，本公开涉及一种半导体器件的封装结构。

背景技术

随着无线通信应用的发展，数据传输速率越来越高，导致对频谱资源的利用率的需求不断提高并且频谱也日益复杂，从而对于射频系统的性能提出严格的要求。由于以薄膜体声波谐振器(FBAR)为基础的滤波器、双工器具有插入损耗低、过渡特性陡峭、选择性高、功率容量高、抗静电放电(ESD)能力强等优点而日益得到广泛的使用。

在现有技术中，双工器一般采用将用于发射端(Tx)的滤波器和用于接收端(Rx)的滤波器封装在一个封装基板上的方式来制造，这样Tx滤波器和Rx的滤波器均在同一封装基板上形成。

图1示出了根据现有技术的双工器的封装结构的截面视图。如图1所述，双工器的Tx滤波器和Rx的滤波器通常均采用晶圆级封装。也就是说，对于Tx滤波器和Rx的滤波器中的每一个，在晶圆上制备由例如具有三明治结构的FBAR声学谐振器构成的滤波器管芯，随后使用封盖(CAP)结构例如封盖板覆盖其上制备有滤波器管芯的器件晶圆并与之键合以形成滤波器的晶圆级封装。接着，将具有晶圆级封装的Tx滤波器和Rx的滤波器并排倒装在基板上，通常Tx滤波器和Rx滤波器之间的间距不小于100μm。随后，使用封装胶体将Tx滤波器和Rx滤波器密封在基板上。

然而，图1所示的根据现有技术的双工器的封装结构至少存在以下缺陷。滤波器的晶圆级封装牵涉到诸如光刻、溅射、刻蚀、键合、清洗、研磨等诸多工艺步骤，使得封装工艺极其复杂，对封装设备的精度要求苛刻，导致整体产品成本增加。此外，由于双工器的Tx滤波器和Rx的滤波器并排倒装在基板上，因此导致整体产品尺寸增加。

发明内容

在下文中给出了关于本公开的简要概述，以便提供关于本公开的某些方面的基本理解。但是，应当理解，此概述并非关于本公开的穷举性概述，也非意在确定本公开的关键性部分或重要部分，更非意在限定本公开的范围。此概述的目的仅在于以简化的形式给出关于本公开的某些构思，以此作为稍后给出的更详细的描述的前序。

本公开的目的在于提供一种改进的半导体器件的封装结构，能够消除现有技术中存在的上述缺陷。

根据本公开的一个方面，提供了一种半导体器件的封装结构，包括：基板，在基板的上表面上具有焊接区域；第一半导体器件，包括第一管芯和第一封盖板，第一管芯键合到第一封盖板的上表面；第一导电凸块，设置在第一半导体器件的第一封盖板的下表面的焊盘上，用于电连接到焊接区域中的焊盘；第二半导体器件，设置在第一半导体器件上方，包括第二管芯和第二封盖板，第二管芯键合到第二封盖板的上表面，第二封盖板的下表面的第一区域具有用于容纳第一半导体器件的凹槽；第二导电凸块，设置在第二半导体器件的第二封盖板的下表面的第二区域中的焊盘上，用于电连接到焊接区域中的焊盘，第二导电凸块的长度大于第一导电凸块的长度；以及封装胶体，覆盖第一半导体器件、第一导电凸块、第二半导体器件和第二导电凸块。

根据本公开的实施方式，基板是由选自树脂、陶瓷和金属中的至少一种材料制成的封装基板或引线框架。

根据本公开的实施方式，第一管芯是双工器中的发射滤波器和接收滤波器中的一个，并且第二管芯是双工器中的发射滤波器和接收滤波器中的另一个。