[发明专利]基板处理装置及基板处理方法在审
申请号: | 202111646596.9 | 申请日: | 2021-12-30 |
公开(公告)号: | CN115020272A | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 东克荣;田村零央;竹本宪司;长尾大树 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;沈静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,具备:
基板保持部,其保持基板;
喷嘴,其向所述基板喷出处理液;
第一供给管,其向所述喷嘴供给所述处理液;
第一开闭部,其开闭所述第一供给管;
第一流量调节部,其对在所述第一供给管中流通的所述处理液的流量进行调节;
第二供给管,其向所述喷嘴供给所述处理液;和
流量控制部,其对所述第一开闭部及所述第一流量调节部进行控制,
所述流量控制部在第一期间内,在打开所述第一供给管的状态下对所述第一流量调节部的开度进行反馈控制,将所述第一流量调节部的开度决定为第一开度,
所述流量控制部在第二期间内,在将所述第一流量调节部的开度设为所述第一开度的状态下,不对所述第一流量调节部的开度进行反馈控制地开闭所述第一供给管,
所述第一期间是所述第二期间之前的期间。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还具备对在所述第一供给管中流通的所述处理液的流量进行测量的流量计,
所述流量控制部向所述第一开闭部输出开闭信号,并向所述第一流量调节部输出开度信号,
所述开闭信号表示所述第一供给管的开状态及闭状态中的某一状态,
所述开度信号表示所述第一流量调节部的开度,
所述反馈控制包括基于所述流量计的检测结果进行的比例控制、积分控制和微分控制。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,在所述第二期间内,所述喷嘴向所述基板的周缘部喷出第一喷出量的所述处理液,并向所述基板的中央部喷出比所述第一喷出量多的第二喷出量的所述处理液,
所述第一喷出量的所述处理液是从所述第二供给管供给的所述处理液,
所述第二喷出量的所述处理液是从所述第一供给管供给的所述处理液、和从所述第二供给管供给的所述处理液。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,还具备使所述基板以沿着铅垂方向延伸的旋转轴线为中心旋转的基板旋转部,
在所述第二期间内,使所述基板相对于所述喷嘴旋转。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,还具备在所述第二期间内使所述喷嘴相对于所述基板移动的驱动部。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,还具备检测所述驱动部的驱动状态的检测部,
在所述第二期间内,所述流量控制部基于所述检测部的检测结果来开闭所述第一供给管。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,所述驱动部能够变更所述喷嘴的移动速度,
在所述流量控制部开闭所述第一供给管时,减慢所述喷嘴的移动速度。
8.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,还具备:第二开闭部,其开闭所述第二供给管;和
第二流量调节部,其对在所述第二供给管中流通的所述处理液的流量进行调节,
所述流量控制部在第三期间内,在打开所述第二供给管的状态下对所述第二流量调节部的开度进行反馈控制,将所述第二流量调节部的开度决定为第二开度,
所述流量控制部在所述第二期间内,在将所述第二流量调节部的开度设为所述第二开度的状态下,不对所述第二流量调节部的开度进行反馈控制地开闭所述第二供给管,
所述第三期间是所述第二期间之前的期间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造