[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

说明书

本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置具备基板保持部、喷嘴(8)、第一供给管(114)、第一开闭部(111)、第一流量调节部(112)、第二供给管(124)和流量控制部(200)。第二供给管向喷嘴供给处理液。流量控制部对第一开闭部及第一流量调节部进行控制。流量控制部在第一期间内，在打开第一供给管的状态下对第一流量调节部的开度进行反馈控制，将第一流量调节部的开度决定为第一开度。流量控制部在第二期间内，在将第一流量调节部的开度设为第一开度的状态下，不对第一流量调节部的开度进行反馈控制地开闭第一供给管。第一期间是第二期间之前的期间。

技术领域

本发明涉及基板处理装置及基板处理方法。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，使用基板处理装置对半导体晶片进行各种处理。例如，作为基板处理装置，已知一种将半导体晶片所包含的处理对象膜的膜厚设为目标膜厚的蚀刻装置(例如参照专利文献1)。例如，蚀刻装置从供给管向半导体晶片供给蚀刻液，从而对半导体晶片进行蚀刻。

另外，需要根据各种处理来变更如蚀刻液这样的处理液的喷出量。因此，在供给管设有调节处理液的流量的调节阀。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-85174号公报

发明内容

通常，为了将规定喷出量的处理液高精度地喷出到基板而对调节阀的开度进行PID控制(反馈控制)。另外，还需要根据半导体晶片上的位置来变更处理液的喷出量。然而，由于正在对调节阀的开度进行PID控制，所以会产生用于将处理液的喷出量调节至规定喷出量的时间或波动(hunting)，无法向半导体晶片快速喷出规定喷出量的处理液。

本发明是鉴于上述课题而做出的，其目的在于，提供一种能够将规定喷出量的处理液更快速地喷出到喷嘴的基板处理装置及基板处理方法。

本发明的基板处理装置具备基板保持部、喷嘴、第一供给管、第一开闭部、第一流量调节部、第二供给管和流量控制部。所述基板保持部保持基板。所述喷嘴向所述基板供给处理液。所述第一供给管向所述喷嘴供给所述处理液。所述第一开闭部开闭所述第一供给管。所述第一流量调节部对在所述第一供给管中流通的所述处理液的流量进行调节。所述第二供给管向所述喷嘴供给所述处理液。所述流量控制部对所述第一开闭部及所述第一流量调节部进行控制。所述流量控制部在第一期间内，在打开所述第一供给管的状态下对所述第一流量调节部的开度进行反馈控制，将所述第一流量调节部的开度决定为第一开度。所述流量控制部在第二期间内，在将所述第一流量调节部的开度设为所述第一开度的状态下，不对所述第一流量调节部的开度进行反馈控制地开闭所述第一供给管。所述第一期间是所述第二期间之前的期间。

在某个实施方式中，还具备对在所述第一供给管中流通的所述处理液的流量进行测量的流量计。所述流量控制部向所述第一开闭部输出开闭信号，并向所述第一流量调节部输出开度信号。所述开闭信号表示所述第一供给管的开状态及闭状态中的某一状态。所述开度信号表示所述第一流量调节部的开度。所述反馈控制包括基于所述流量计的检测结果进行的比例控制、积分控制和微分控制。

在某个实施方式中，在所述第二期间内，所述喷嘴向所述基板的周缘部喷出第一喷出量的所述处理液，并向所述基板的中央部喷出比所述第一喷出量多的第二喷出量的所述处理液。所述第一喷出量的所述处理液是从所述第二供给管供给的所述处理液。所述第二喷出量的所述处理液是从所述第一供给管供给的所述处理液、和从所述第二供给管供给的所述处理液。

在某个实施方式中，还具备使所述基板以沿着铅垂方向延伸的旋转轴线为中心旋转的基板旋转部。在所述第二期间内，使所述基板相对于所述喷嘴旋转。

在某个实施方式中，还具备在所述第二期间内使所述喷嘴相对于所述基板移动的驱动部。