[发明专利]三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统

权利要求书

1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：

形成基底；

在所述基底上形成贯穿有第一沟道孔的第一堆栈结构，所述第一堆栈结构包括在垂直于所述基底的方向上多层交替层叠设置的第一栅极牺牲层和第一绝缘层，且所述第一堆栈结构远离所述基底的一端为所述第一栅极牺牲层；

在所述第一堆栈结构上形成贯穿有第二沟道孔的第二堆栈结构，所述第二沟道孔与所述第一沟道孔连通；

在所述第一沟道孔和所述第二沟道孔中形成沟道结构。

2.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，在所述第一堆栈结构上形成贯穿有第二沟道孔的第二堆栈结构之前，还包括：

在所述第一沟道孔中形成牺牲材料层；

将所述牺牲材料层与所述第一堆栈结构中最上层的所述第一栅极牺牲层切齐；

所述在所述第一堆栈结构上形成贯穿有第二沟道孔的第二堆栈结构，具体包括：

在切齐后的所述牺牲材料层和最上层的所述第一栅极牺牲层上，形成第二堆栈结构；

形成贯穿所述第二堆栈结构的第二沟道孔，所述第二沟道孔暴露出所述牺牲材料层；

经由所述第二沟道孔去除所述牺牲材料层。

3.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述在所述第一沟道孔和所述第二沟道孔中形成沟道结构，具体包括：

在所述第一沟道孔和所述第二沟道孔的内壁上形成第一氮化物层；

对所述第一氮化物层进行氧化处理，以得到第一氧化物层；

在所述第一氧化物层背离所述内壁的一侧上形成第二氮化物层；

在所述第二氮化物层背离所述第一氧化物层的一侧上形成第二氧化物层；

在所述第二氧化物层背离所述第二氮化物层的一侧上形成沟道层，以得到包括所述第一氧化物层、所述第二氮化物层、所述第二氧化物层和所述沟道层的沟道结构。

4.根据权利要求3所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述第一沟道孔的内壁和所述第二堆栈结构之间形成拐角，且在对所述第一氮化物层进行氧化处理后，位于所述拐角处的部分所述第一氮化物层被残留，以形成残留物，剩余部分的所述第一氮化物层被氧化形成所述第一氧化物层。

5.根据权利要求4所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述残留物与所述第一栅极牺牲层连接，且所述残留物的上表面与所述第一栅极牺牲层的上表面平齐。

6.根据权利要求4所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，在所述第一沟道孔和所述第二沟道孔中形成沟道结构之后，还包括：

形成贯穿所述第一堆栈结构和所述第二堆栈结构的栅线缝隙；

通过所述栅线缝隙，将所述第一堆栈结构中的所述第一栅极牺牲层和所述第二堆栈结构中的第二栅极牺牲层分别置换成第一栅极层和第二栅极层。

7.根据权利要求6所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，在所述形成贯穿所述第一堆栈结构和所述第二堆栈结构的栅线缝隙之后，还包括：

通过所述栅线缝隙，将所述残留物置换为冗余栅极层，所述冗余栅极层与所述第一栅极层连接，且所述冗余栅极层的上表面与所述第一栅极层的上表面平齐。

8.根据权利要求3所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述第一氮化物层的材质与所述第一栅极牺牲层的材质相同。

9.一种三维存储器，其特征在于，包括：

第一堆栈结构；

位于所述第一堆栈结构上的第二堆栈结构；

贯穿所述第一堆栈结构和所述第二堆栈结构的沟道结构；

其中，所述第一堆栈结构包括在背离所述第二堆栈结构的方向上多层交替层叠设置的第一栅极层和第一绝缘层，所述沟道结构的侧壁上具有台阶面，所述台阶面和所述第一堆栈结构的与所述第二堆栈结构相接触的表面切齐，且所述第一堆栈结构通过最上层的所述第一栅极层与所述第二堆栈结构相接触。