[发明专利]三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统

说明书

本发明涉及一种三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统，包括：形成基底；在基底上形成贯穿有第一沟道孔的第一堆栈结构，第一堆栈结构包括在垂直于基底的方向上多层交替层叠设置的第一栅极牺牲层和第一绝缘层，且第一堆栈结构远离基底的一端为第一栅极牺牲层；在第一堆栈结构上形成贯穿有第二沟道孔的第二堆栈结构，第一沟道孔与第二沟道孔连通；在第一沟道孔和第二沟道孔中形成沟道结构，从而，能够改善三维存储器中栅极层之间漏电的问题，提高了三维存储器的良率及可靠性。

【技术领域】

本发明涉及存储器技术领域，具体涉及一种三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统。

【背景技术】

随着技术的发展，半导体工业不断寻找新的生产方式，以使得存储器装置中的每一存储器裸片具有更多数量的存储器单元。其中，3D NAND(三维存储器)由于其存储密度高、成本低等优点，已成为目前较为前沿、且极具发展潜力的三维存储器技术。

但是，如何改善三维存储器中栅极层之间漏电的问题是当前存储器技术中一个相当困扰的问题，急待解决。

【发明内容】

本发明实施例提供一种三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统，以改善三维存储器中栅极层之间漏电的问题，进而提高三维存储器的良率及可靠性。

为了解决上述问题，本发明提供了一种三维存储器的制作方法，该三维存储器的制作方法包括：形成基底；在基底上形成贯穿有第一沟道孔的第一堆栈结构，第一堆栈结构包括在垂直于基底的方向上多层交替层叠设置的第一栅极牺牲层和第一绝缘层，且第一堆栈结构远离基底的一端为第一栅极牺牲层；在第一堆栈结构上形成贯穿有第二沟道孔的第二堆栈结构，第二沟道孔与第一沟道孔连通；在第一沟道孔和第二沟道孔中形成沟道结构。

其中，在第一堆栈结构上形成贯穿有第二沟道孔的第二堆栈结构之前，还包括：在第一沟道孔中形成牺牲材料层；将牺牲材料层与第一堆栈结构中最上层的第一栅极牺牲层切齐；在第一堆栈结构上形成贯穿有第二沟道孔的第二堆栈结构，具体包括：在切齐后的牺牲材料层和最上层的第一栅极牺牲层上，形成第二堆栈结构；形成贯穿第二堆栈结构的第二沟道孔，第二沟道孔暴露出牺牲材料层；经由第二沟道孔去除牺牲材料层。

其中，在所第一沟道孔和第二沟道孔中形成沟道结构，具体包括：在第一沟道孔和第二沟道孔的内壁上形成第一氮化物层；对第一氮化物层进行氧化处理，以得到第一氧化物层；在第一氧化物层背离内壁的一侧上形成第二氮化物层；在第二氮化物层背离第一氧化物层的一侧上形成第二氧化物层；在第二氧化物层背离第二氮化物层的一侧上形成沟道层，以得到包括第一氧化物层、第二氮化物层、第二氧化物层和沟道层的沟道结构。

其中，第一沟道孔的内壁和第二堆栈结构之间形成拐角，且在对第一氮化物层进行氧化处理后，位于拐角处的部分第一氮化物层被残留，以形成残留物，剩余部分的第一氮化物层被氧化形成第一氧化物层。

其中，残留物与第一栅极牺牲层连接，且残留物的上表面与第一栅极牺牲层的上表面平齐。

其中，在第一沟道孔和第二沟道孔中形成沟道结构之后，还包括：形成贯穿第一堆栈结构和第二堆栈结构的栅线缝隙；通过栅线缝隙，将第一堆栈结构中的第一栅极牺牲层和第二堆栈结构中的第二栅极牺牲层分别置换成第一栅极层和第二栅极层。

其中，在形成贯穿第一堆栈结构和第二堆栈结构的栅线缝隙之后，还包括：通过栅线缝隙，将残留物置换为冗余栅极层，冗余栅极层与第一栅极层连接，且冗余栅极层的上表面和第一栅极层的上表面平齐。

其中，第一氮化物层的材质与第一栅极牺牲层的材质相同。