[发明专利]一种单晶炉加热器自动升降机构有效
申请号: | 202111647896.9 | 申请日: | 2021-12-30 |
公开(公告)号: | CN114293245B | 公开(公告)日: | 2023-02-14 |
发明(设计)人: | 曹玉宝;李欢;段世飞;李方;尹嘉琦;张忠涛 | 申请(专利权)人: | 连城凯克斯科技有限公司 |
主分类号: | C30B15/14 | 分类号: | C30B15/14;B66F7/00;B66F7/28 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单晶炉 加热器 自动 升降 机构 | ||
本发明属于单晶设备技术领域,具体的说是一种单晶炉加热器自动升降机构,包括炉底盘,炉底盘上板面架设有坩埚单元,炉底盘下板面设有升降单元;所述升降单元包括电机、丝杆、导向柱、载板、电极和加热线圈;所述坩埚单元包括外炉体和坩埚体;所述载板的下板面螺栓固接有固定块,丝杆的一端贯穿载板并传动连接固定块,丝杆的另一端固接电机的输出端,电机固接炉底盘的下板面;所述丝杆一侧设置导向柱,导向柱的一端固接炉底盘,导向柱的另一端滑动贯穿载板;所述载板与炉底盘之间安装有电极,电极的下端固接载板,电极的上端滑动贯穿炉底盘,并连接加热线圈。
技术领域
本发明属于单晶设备技术领域,具体的说是一种单晶炉加热器自动升降机构。
背景技术
单晶硅生长炉是通过直拉法生产单晶硅的制造设备,单晶硅生长方法主要为多晶硅原料放入高纯石英坩埚熔化,然后对熔化的硅液稍做降温,使之产生一定的过冷度,再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体,待籽晶与熔体熔和后,慢慢向上拉籽晶,晶体便会在籽晶下端生长。
而现有的单晶硅生长炉,在生产单晶硅产品时,通过单晶硅加热器产生高温将石英坩埚内的硅原料融化,单晶硅加热器仅能对坩埚的底部进行加热,无法对整个坩埚进行架热,造成坩埚的加热效果不佳,影响单晶硅产品的生产质量和生产效率。
为此,本发明提供一种单晶炉加热器自动升降机构。
发明内容
为了弥补现有技术的不足,解决背景技术中所提出的至少一个技术问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:本发明所述的一种单晶炉加热器自动升降机构,包括炉底盘,炉底盘上板面架设有坩埚单元,炉底盘下板面设有升降单元;所述升降单元包括电机、丝杆、导向柱、载板、电极和加热线圈;所述坩埚单元包括外炉体和坩埚体;
所述载板的下板面螺栓固接有固定块,丝杆的一端贯穿载板并传动连接固定块,丝杆的另一端固接电机的输出端,电机固接炉底盘的下板面;所述丝杆一侧设置导向柱,导向柱的一端固接炉底盘,导向柱的另一端滑动贯穿载板;所述载板与炉底盘之间安装有电极,电极的下端固接载板,电极的上端滑动贯穿炉底盘,并连接加热线圈;
所述坩埚体坐落在外炉体内,坩埚体与外炉体之间的间隙安置加热线圈,加热线圈的下端固接电极的上端;坩埚体在其底部的加热线圈,以及其外设置的加热线圈,同时对坩埚体进行加热,使得坩埚体内单晶硅的均受热,提高单晶硅的融化质量和效率;驱动电机转动,电机带动丝杆转动,丝杆通过固定块上推或者下拉载板,同时载板带动电极以及加热线圈上移或者下移,从而加热线圈对坩埚体不同位置加热,使得坩埚体的所需要高度区间的硅液保持特定的温度,避免晶棒生成过程中,持续对已结晶部位再加热,不利于晶体生长,影响晶棒品质;而通过控制加热线圈包围坩埚体的部位,使得加热线圈精确对所需要高度区间的硅液加热,使得晶棒在规定温度区间生长,而这有益于晶体生长,提高晶棒品质。
优选的,所述电机和丝杆对称安装炉底盘和载板之间,导向杆和电极呈中心轴对称安装炉底盘和载板之间;所述电极外圈上套设有波纹管,波纹管的两端分别固接载板的下板面和炉底盘的上板面;双电机驱动带动载板上下移动,使得载板移动更加顺畅,且通过丝杆连接固定块,提高固定块下推和上提载板的同步性,防止传动不同步出现高度差的问题,导致自动升降机构存在憋劲的问题。
优选的,所述外炉体内侧壁对称开设滑槽;所述加热线圈的外表面设有导向单元;所述导向单元包括固定板和导向杆;所述固定板对称固接加热线圈上,固定板的上端面开设伸缩槽,导向杆的一端滑动连接在伸缩槽内,导向杆的另一端弯折90度并滑动连接在滑槽内;加热线圈沿着坩埚体上下移动时,导向杆沿着滑槽上下移动,或者导向杆沿着伸缩槽伸出或者缩入,使得加热线圈与坩埚体之间的相对移动更加灵活,以及导向杆的设置,加热线圈内圈与坩埚体外圈之间的距离被限制住,即,加热线圈上同一水平位置到坩埚体距离相同,从而使得坩埚体得以均匀受热,继而提高坩埚体内单晶硅的加热融化质量,以及结晶品质。
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