[发明专利]一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构及制造方法在审
| 申请号： | 202111648827.X | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114284232A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 徐召明;张建东;袁致波 | 申请（专利权）人： | 华天科技（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L25/16;H01L21/54;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 安彦彦 |
| 地址： | 211805 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 引脚 输出 fcqfn 封装 结构 制造 方法 | ||
1.一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构，其特征在于，包括刻蚀有多个引脚的裸铜框架，相邻引脚之间的空隙填充有塑封料，形成第一塑封体；
裸铜框架正面的引脚贴装有倒装芯片(7)和无源器件(6)，倒装芯片(7)和无源器件(6)外包裹有第二塑封体，裸铜框架背面的引脚裸露在第一塑封体外。
2.根据权利要求1所述的一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构，其特征在于，所述相邻引脚之间的间距不大于150um。
3.根据权利要求1所述的一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构，其特征在于，所述无源器件(6)与裸铜框架正面的引脚焊接互联。
4.根据权利要求1所述的一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构，其特征在于，所述倒装芯片(7)和裸铜框架正面的引脚之间通过凸点部件互联。
5.根据权利要求1所述的一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构，其特征在于，所述第一塑封体的厚度为裸铜框架厚度的一半。
6.根据权利要求1所述的一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构，其特征在于，所述无源器件(6)采用电阻或电容。
7.根据权利要求1所述的一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构，其特征在于，所述第一塑封体和第二塑封体均采用环氧树脂材料。
8.一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构的制造方法，其特征在于，基于权利要求1-7任一项的封装结构，包括如下步骤，
对裸铜框架的正面和背面刻蚀布线，形成多个引脚；
将塑封料填充在引脚之间的空隙内，进行一次塑封；
将无源器件(6)和倒装芯片(7)分别与裸铜框架的正面对应的引脚贴合互联；
利用塑封料将裸铜框架正面的无源器件(6)和倒装芯片(7)包裹起来，进行二次塑封；
将裸铜框架背面的第一塑封体研磨直至露出裸铜框架背面引脚(3)，封装完成。
9.根据权利要求8所述的一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构的制造方法，其特征在于，所述封装完成后，还包括在裸铜框架背面引脚(3)上镀锡。
10.根据权利要求8所述的一种高密度引脚输出的FCQFN封装结构的制造方法，其特征在于，所述对裸铜框架的正面和背面刻蚀布线，形成多个引脚后，在裸铜框架的正面贴膜。
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