[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202111651214.1 | 申请日: | 2021-12-30 |
公开(公告)号: | CN114447068A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 施昆雁;周子琳;张锴;宋二龙 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/02;H01L51/56 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置,所述显示基板包括显示区域和边框区域,显示基板还包括第一静电释放区和第二静电释放区,在平行于显示基板的方向上,第一静电释放区与第二静电释放区间隔至少一个功能区,所述功能区包括:显示区域、引线弯折区、单元测试区和驱动芯片区,其中:第一静电释放区包括第一静电释放单元、第一数据信号线和第一电源线,用于通过第一电源线释放第一数据信号线上积聚的第一电荷;第二静电释放区包括第二静电释放单元,第二数据信号线和第二电源线,用于通过第二电源线释放第二数据信号线上积聚的第二电荷。在保证数据线静电释放功能的前提下降低了由于电场强度而引起电化学腐蚀的风险。
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域,尤指一种显示基板及其制备方法、 显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)为主动发光 显示器件,具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、 可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展,以OLED为发光器件、 由薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,简称TFT)进行信号控制的柔性显示装 置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求 的保护范围。
本公开实施例所要解决的技术问题是,提供一种显示基板及其制备方法 和显示装置,解决静电释放电路容易发生电化学腐蚀的问题。
本公开实施例提供了一种显示基板,包括显示区域和至少围绕所述显示 区域的边框区域,所述边框区域包括位于所述显示区域一侧的绑定区域,所 述绑定区域包括沿远离所述显示区域方向设置的引线弯折区、单元测试区和 驱动芯片区,所述显示基板还包括第一静电释放区和第二静电释放区,在平 行于所述显示基板的方向上,所述第一静电释放区与所述第二静电释放区间 隔至少一个功能区,所述功能区包括以下一种或多种:所述显示区域、所述 引线弯折区、所述单元测试区和所述驱动芯片区,其中:
所述第一静电释放区包括第一静电释放单元、第一数据信号线和第一电 源线,所述第一静电释放单元的第一端与所述第一数据信号线连接,所述第 一静电释放单元的第二端与所述第一电源线连接,用于通过所述第一电源线 释放所述第一数据信号线上积聚的第一电荷;
所述第二静电释放区包括第二静电释放单元,第二数据信号线和第二电 源线,所述第二静电释放单元的第一端与所述第二数据信号线连接,所述第 二静电释放单元的第二端与所述第二电源线连接,用于通过所述第二电源线 释放所述第二数据信号线上积聚的第二电荷。
本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法,所述显示基板包括显 示区域和至少围绕所述显示区域的边框区域,所述边框区域包括位于显示区 域一侧的绑定区域,所述绑定区域包括沿远离所述显示区域方向设置的引线 弯折区、单元测试区和驱动芯片区,所述显示基板还包括第一静电释放区和 第二静电释放区,在平行于所述显示基板的方向上,所述第一静电释放区与 所述第二静电释放区间隔至少一个功能区,所述功能区包括以下一种或多 种:显示区域、所述引线弯折区、所述单元测试区和所述驱动芯片区;所述制备方法包括:
在所述第一静电释放区形成第一静电释放单元、第一数据信号线和第一 电源线,所述第一静电释放单元的第一端与所述第一数据信号线连接,所述 第一静电释放单元的第二端与所述第一电源线连接;
在所述第二静电释放区形成第二静电释放单元,第二数据信号线和第二 电源线,所述第二静电释放单元的第一端与所述第二数据信号线连接,所述 第二静电释放单元的第二端与所述第二电源线连接。
本公开实施例还提供了一种显示装置,包括前述的显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的