[发明专利]存储器

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底；

多条位线和多条绝缘线，形成在所述衬底上，并且所述位线和所述绝缘线相交以界定出多个节点接触窗，所述位线包括形成在其侧壁上的位线侧墙；

接触插塞，填充在所述节点接触窗中，以及所述接触插塞的顶部还向上凸出所述节点接触窗，并在相邻的接触插塞凸出的顶部之间界定出凹槽；以及，

间隔结构，填充所述凹槽以间隔相邻的接触插塞，其中所述间隔结构至少覆盖所述凹槽的侧壁和底部，并且在侧壁和底部相接的拐角处所述间隔结构中还形成有第一空隙。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述间隔结构包括第一隔离层和第二隔离层，所述第一隔离层至少覆盖所述凹槽的侧壁和底部，并且在侧壁和底部相接的拐角处所述第一隔离层中还形成有所述第一空隙，以及所述第二隔离层形成在所述第一隔离层上并填充所述凹槽。

3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第二隔离层中形成有第二空隙。

4.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一空隙还与所述接触插塞直接接触。

5.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述位线包括位线导电部、覆盖位线导电部顶表面的位线遮蔽层以及覆盖位线导电部侧壁的位线侧墙；

其中，所述位线侧墙包括第一侧墙、第二侧墙以及夹持在所述第一侧墙和所述第二侧墙之间的第三空隙。

6.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，在同一侧壁上的位线侧墙中的第三空隙沿着位线的延伸方向连续延伸。

7.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述第三空隙中正对在所述间隔结构下方的开口被所述间隔结构封盖。

8.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述接触插塞凸出的顶部还横向延伸至所述位线和/或所述绝缘线的顶表面上。

9.如权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述接触插塞凸出的顶部相对于所述接触插塞的底部部分平移至所述位线和/或所述绝缘线的顶表面上；

其中，所述顶部相对于所述底部平移而延伸出的尺寸大于所述顶部相对于所述底部平移而内缩的尺寸。

10.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，相邻的接触插塞凸出的顶部之间的凹槽还进一步延伸至正下方的位线和绝缘线中，以使所述间隔结构的底部延伸至所述位线和所述绝缘线中。

11.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括存储电容器，以及所述存储电容器的下电极电性连接至所述接触插塞的顶部。