[发明专利]抛光设备和抛光方法

说明书

本发明实施例公开了一种抛光设备和抛光方法。所述抛光设备包括：抛光台；设置在所述抛光台的上表面上的抛光垫；用于驱动所述抛光台旋转的驱动轴；设置在所述抛光台的上方空间的抛光头和喷嘴组件；其中，所述喷嘴组件包括第一喷嘴和第二喷嘴，所述第一喷嘴用于向所述抛光垫的中央区域喷洒第一抛光液，所述第一抛光液通过所述抛光台的旋转被分布在整个所述抛光垫上，所述第二喷嘴用于向所述抛光垫的边缘区域喷洒第二抛光液，以在所述边缘区域处提供大于所述中央区域处的抛光去除量。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种抛光设备和抛光方法。

背景技术

在生产硅片的流程中，最终抛光(FP，Final Polishing)工艺是控制硅片平坦度和粗糙度参数的最后一道工序。最终抛光工艺是通过对硅片表面去除一定的量来去除前端工序缺陷和对硅片表面进行镜面化抛光。

在FP作业期间，最常用的实施方案为化学机械抛光(CMP，Chemical MechanicalPolishing)方法，而在CMP方法中，需要通过抛光头将硅片压在震动的带有抛光垫的抛光台上，同时将磨料颗粒的浆液提供到抛光垫。然而，由于来自抛光头的工作压力往往集中在抛光头的中央区域，因此传递至待抛光的硅片表面的压力的分布也不均匀，其中，硅片的中央区域受到的力大于其他区域受到的力，这导致硅片在抛光过程中，硅片表面的中央区域的抛光去除量大于硅片表面的边缘区域的抛光去除量，从而造成硅片表面平坦度恶化。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例期望提供一种抛光设备和抛光方法，能够针对硅片的不同区域提供不同的抛光去除量，从而提升硅片平坦化的品质。

本发明的技术方案是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供了一种抛光设备，所述抛光设备包括：抛光台；设置在所述抛光台的上表面上的抛光垫；用于驱动所述抛光台旋转的驱动轴；设置在所述抛光台的上方空间的抛光头和喷嘴组件；其中，所述喷嘴组件包括第一喷嘴和第二喷嘴，所述第一喷嘴用于向所述抛光垫的中央区域喷洒第一抛光液，所述第一抛光液通过所述抛光台的旋转被分布在整个所述抛光垫上，所述第二喷嘴用于向所述抛光垫的边缘区域喷洒第二抛光液，以在所述边缘区域处提供大于所述中央区域处的抛光去除量。

第二方面，本发明实施例提供了一种抛光方法，所述抛光方法包括：通过驱动轴驱动上表面设置有抛光垫的抛光台旋转；通过第一喷嘴向所述抛光垫的中央区域喷洒第一抛光液；通过第二喷嘴向所述抛光垫的边缘区域喷洒第二抛光液；其中，所述第一抛光液和所述第二抛光液通过所述抛光台的旋转分布在所述抛光垫上，以在所述边缘区域处提供大于所述中央区域处的抛光去除量。

本发明实施例提供了一种抛光设备和抛光方法；不同于现有技术中针对一次抛光操作仅使用单种抛光液的技术方案，本发明实施例提出在抛光设备中设置两个喷嘴，其中，第一喷嘴用于向抛光垫的中央区域喷洒第一抛光液，第二喷嘴用于向抛光垫的边缘区域喷洒第二抛光液，第一抛光液和第二抛光液借助于抛光台旋转产生的离心力分布在抛光垫上，使得能够在抛光垫的边缘区域提供大于抛光垫的中央区域处的抛光去除量，从而解决了因抛光头自身构造引起的对硅片表面的抛光去除量不均匀的问题，特别是对硅片表面的边缘区域抛光去除量不足的问题，由此改善了硅片表面平坦度。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种抛光设备的示意图；

图2为使用常规抛光设备抛光后的硅片的去除形貌图；

图3为使用本发明实施例提供的抛光设备对硅片进行抛光的示意图；

图4为本发明实施例提供的一种抛光方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。