[发明专利]一种外延炉氢气吸收系统、方法、电子设备及存储介质

说明书

本申请涉及外延炉技术领域，具体提供了一种外延炉氢气吸收系统、方法、电子设备及存储介质，该系统包括：传送腔；存片腔，与所述传送腔连接；氢气吸收装置，设置在所述传送腔内，用于吸收所述传送腔内的氢气；氢气浓度检测装置，设置在所述传送腔内，用于采集所述传送腔内的氢气浓度信息；控制器，用于在对存片腔进行晶片上料或下料前，获取所述氢气浓度信息，还用于当所述氢气浓度信息大于或等于第一阈值时，控制所述氢气吸收装置吸收所述氢气直至所述氢气浓度信息小于第二阈值；通过氢气吸收装置吸收传送腔内的氢气，无需对反应腔执行抽真空和通入惰性气体的操作，从而有效地减少降低传送腔内的氢气浓度所需要的时间，提高外延炉的运行效率。

技术领域

本申请涉及外延炉技术领域，具体而言，涉及一种外延炉氢气吸收系统、方法、电子设备及存储介质。

背景技术

现有技术的外延炉包括：反应腔、传送腔和存片腔，传送腔内设置有用于硅片上料或下料的机械手。反应腔通过插板阀和传送腔连接，传送腔与存片腔连接。外延炉完成外延生长工艺后，在反应腔内对硅片进行冷却以使硅片温度降至900℃以下。硅片冷却时，反应腔内会通入大量作为冷却气体的氢气以使硅片的温度降低。硅片的温度降低至900℃以下后，反应腔与传送腔之间的插板阀打开以使机械手将硅片及其托盘从反应腔移至存片腔。反应腔与传送腔之间的插板阀打开时，反应腔内的氢气流入传送腔和存片腔。存片腔会对硅片进行二次冷却，此时的冷却气体为氩气，流入存片腔的氢气将会随着氩气通过排气管直接排放到空气中，从而造成空气中的氢气含量不断上升，当氢气的体积含量超过4%时极容易发生爆炸，因此需要对流入传送腔中的氢气进行处理。

现有的解决方案为：在机械手将硅片自反应腔取至传送腔前，先对反应腔抽真空以去除掉氢气，然后向反应腔内通入氩气以使反应腔和传送腔的压力接近，最后打开反应腔和传送腔之间的插板阀以使机械手将硅片取出。此方案中，对反应腔抽真空与向反应腔内通入氩气过程会消耗大量的时间，从而影响外延炉运行效率。

因此，现有技术有待改进和发展。

发明内容

本申请的目的在于提供一种外延炉氢气吸收系统、方法、电子设备及存储介质，能够充分吸收由传送腔内的氢气，并提高外延炉的运行效率。

第一方面，本申请提供了一种外延炉氢气吸收系统，其包括：

传送腔；

存片腔，与上述传送腔连接；

氢气吸收装置，设置在上述传送腔内，用于吸收上述传送腔内的氢气；

氢气浓度检测装置，设置在上述传送腔内，用于采集所述传送腔内的氢气浓度信息；

控制器，用于在对上述存片腔进行晶片上料或下料前，获取上述氢气浓度信息，还用于在上述氢气浓度信息大于或等于预设的第一阈值时，控制上述氢气吸收装置吸收上述传送腔内的氢气直至上述氢气浓度信息小于预设的第二阈值。

本申请提供的一种外延炉氢气吸收系统，在对存片腔进行晶片上料或下料前，通过氢气浓度检测装置采集传送腔内的氢气浓度信息，当氢气浓度信息大于或等于第一阈值时，通过氢气吸收装置吸收传送腔内的氢气直至传送腔内的氢气浓度信息小于第二阈值，当传送腔内的氢气浓度信息小于第二阈值时，即使将包含氢气的气体排放到空气中也不存在安全隐患，本申请通过氢气吸收装置吸收传送腔内的氢气，无需对反应腔执行抽真空和通入惰性气体的操作，从而有效地减少降低传送腔内的氢气浓度所需要的时间，提高外延炉的运行效率。

可选地，上述外延炉氢气吸收系统还包括：惰性气体提供装置，上述惰性气体提供装置与上述传送腔连接，上述控制器还用于在上述传送腔内的上述氢气浓度信息大于或等于上述第一阈值时，控制上述惰性气体提供装置向上述传送腔输送惰性气体直至上述氢气浓度信息小于上述第二阈值。