[发明专利]一次开启式上电检测电路

权利要求书

1.一种一次开启式上电检测电路，包括一电压检测电路，具有供电电源端和上电复位信号端；

其特征在于，所述电压检测电路还包括：

一比较器，同相输入端经第一电阻连接所述供电电源端，反向输入端连接检测点电压端，输出端为所述上电复位信号端，控制端连接上电初始化信号端；

一第一MOSFET管，栅极连接所述上电初始化信号端，漏极经第二电阻连接所述第一电阻，源极接地。

2.如权利要求1所述的一次开启式上电检测电路，其特征在于，当芯片上电后，所述上电初始化信号端输入的上电初始化信号为高电平，所述电压检测电路进入工作模式，当：

VDDVref*(R2+R1)/R2

时，所述上电复位信号端翻转，所述芯片开始初始化工作；

其中，VDD表示所述供电电源端电压，Vref表示所述检测点电压端输入的检测点电压，R1表示所述第一电阻，R2表示所述第二电阻；

当芯片初始化工作完成后，所述上电初始化信号端输入的上电初始化信号为低电平，所述电压检测电路进入低功耗模式。

3.如权利要求1所述的一次开启式上电检测电路，其特征在于，所述第一MOSFET管为N沟道MOSFET管。

4.如权利要求1所述的一次开启式上电检测电路，其特征在于，所述上电初始化信号端输入的上电初始化信号由外部数字电路提供。

5.如权利要求1至3中任意一项所述的一次开启式上电检测电路，其特征在于，所述电压检测电路还包括：

一延时器，输入端连接所述比较器的输出端；

一触发器，时钟输入端连接所述延时器的输出端，信号输入端接地，信号输出端为所述上电初始化信号端。

6.如权利要求5所述的一次开启式上电检测电路，其特征在于，当芯片上电后，所述触发器的置位端输入高电平，所述上电初始化信号端输入的上电初始化信号为高电平，所述电压检测电路进入工作模式，所述延时器延时预设时间后，所述延时器的输出端电压信号翻转，所述触发器动作，所述触发器的信号输出端输出低电平，即所述上电初始化信号端输入的上电初始化信号为低电平，所述电压检测电路进入低功耗模式。

7.如权利要求5所述的一次开启式上电检测电路，其特征在于，所述延时器的延时时间不小于所述芯片的初始化工作时间。

8.一种一次开启式上电检测电路，包括一电压检测电路，具有供电电源端和上电复位信号端；

其特征在于，所述电压检测电路还包括：

一第二MOSFET管，栅极连接上电初始化信号端，漏极连接所述供电电源端，源极连接第三电阻的一端，所述第三电阻的另一端经第四电阻接地；

一第三MOSFET管，栅极连接所述第三电阻的另一端，漏极经第五电阻连接所述供电电源端，源极接地；

一反相器，输入端连接所述第三MOSFET管的漏极，输出端为所述上电复位信号端。

9.如权利要求8所述的一次开启式上电检测电路，其特征在于，当芯片上电后，所述上电初始化信号端输入的上电初始化信号为低电平，所述电压检测电路进入工作模式，当：

VDDVth*(R3+R4)/R4

时，所述上电复位信号端翻转，所述芯片开始初始化工作；

其中，VDD表示所述供电电源端电压，Vth表示所述第三MOSFET管的阈值电压，R3表示所述第三电阻，R4表示所述第四电阻；

当芯片初始化工作完成后，所述上电初始化信号端输入的上电初始化信号为高电平，所述电压检测电路进入低功耗模式。

10.如权利要求8所述的一次开启式上电检测电路，其特征在于，所述第二MOSFET管、第三MOSFET管均为N沟道MOSFET管；

所述上电初始化信号端输入的上电初始化信号由外部数字电路提供。