[发明专利]一次开启式上电检测电路

说明书

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种上电检测电路。一种一次开启式上电检测电路，包括一电压检测电路，具有供电电源端和上电复位信号端；电压检测电路还包括：一比较器，同相输入端经第一电阻连接供电电源端，反向输入端连接检测点电压端，输出端为上电复位信号端，控制端连接上电初始化信号端；一第一MOSFET管，栅极连接上电初始化信号端，漏极经第二电阻连接第一电阻，源极接地。本发明可以在芯片初始化工作完成后，将电压检测电路进入低功耗模式，避免了电压检测电路的静态功耗。

技术领域

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种上电检测电路。

背景技术

在ASIC和MCU电路设计中，刚上电的器件都具有初始化动作。在初始化动作中，会将非易失寄存器中的数据转存到各种状态寄存器中，比如将Band Gap的配置存放到BGR状态寄存器中，用于上电后配置基准电压值；将OSC的配置存放于OSC状态寄存器中，用于配置OSC的频率；将LDO的配置存放于LDO寄存器中，用于配置数字供电的VDD电源电压等。

但是初始化动作会因为以下等原因导致转存的数据出错：

1、应用环境如电源环境异常，在进行该动作时，电源抖动太大；

2、低功耗设计中，未做电源检测，导致在较低电源电压下进行该动作；

3、非易失寄存器中某些设计的读取条件过于严苛，导致非易失寄存器的数据读取错误。

发生诸如以上错误时会导致：

1、上电后模拟参数异常，比如Vref、VDD或OSC等器件参数异常，导致芯片工作电压太高，芯片烧毁或功耗过大；

2、数字部分状态寄存器异常导致数字逻辑功能错误等。

为了防止以上问题，一般会在ASIC和MCU电路设计中加入具有电压检测的上电/掉电保护电路，使芯片在初始化时工作在适合的电压。现有技术中采用的电压检测电路虽然可以避免以上问题，但是会带来静态功耗。

发明内容

本发明针对现有的电压检测电路虽然可以避免初始化动作出错，但是会带来静态功耗的技术问题，目的在于提供一种一次开启式上电检测电路。

一种一次开启式上电检测电路，包括一电压检测电路，具有供电电源端和上电复位信号端；

所述电压检测电路还包括：

一比较器，同相输入端经第一电阻连接所述供电电源端，反向输入端连接检测点电压端，输出端为所述上电复位信号端，控制端连接上电初始化信号端；

一第一MOSFET管，栅极连接所述上电初始化信号端，漏极经第二电阻连接所述第一电阻，源极接地。

当芯片上电后，所述上电初始化信号端输入的上电初始化信号为高电平，所述电压检测电路进入工作模式，当：

VDDVref*(R2+R1)/R2

时，所述上电复位信号端翻转，所述芯片开始初始化工作；

其中，VDD表示所述供电电源端电压，Vref表示所述检测点电压端输入的检测点电压，R1表示所述第一电阻，R2表示所述第二电阻；

当芯片初始化工作完成后，所述上电初始化信号端输入的上电初始化信号为低电平，所述电压检测电路进入低功耗模式。

所述第一MOSFET管为N沟道MOSFET管。

所述上电初始化信号端输入的上电初始化信号由外部数字电路提供，也可以采用下述电路结构：

所述电压检测电路还包括：

一延时器，输入端连接所述比较器的输出端；