[发明专利]扇出型封装方法在审

专利信息
申请号: 202111671780.9 申请日: 2021-12-31
公开(公告)号: CN114464541A 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 陶玉娟;姜艳 申请(专利权)人: 通富微电子股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/367
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 张庆玲
地址: 226000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 扇出型 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种扇出型封装方法,其特征在于,包括:

在载板的第一表面设置第一芯片;其中,所述第一芯片包括相背设置的功能面和非功能面,且所述第一芯片的功能面背离所述第一表面;

在所述第一芯片的侧面外围形成环形围坝;至少使所述环形围坝和所述第一芯片固定连接;

去除所述载板,并在所述第一芯片的非功能面一侧设置第一散热片。

2.根据权利要求1所述的扇出型封装方法,其特征在于,所述在载板的第一表面设置第一芯片的步骤,包括:

使所述第一芯片的非功能面朝向所述载板,且所述第一芯片的非功能面与所述载板之间设置有第二散热片。

3.根据权利要求2所述的扇出型封装方法,其特征在于,

所述使所述第一芯片的非功能面朝向所述载板,且所述第一芯片的非功能面与所述载板之间设置有第二散热片的步骤,包括:

在所述载板第一表面形成第一金属层,并对所述第一芯片的非功能面做背金处理;其中,所述第一金属层形成所述第二散热片;

使所述第一芯片的非功能面与所述第一金属层固定。

4.根据权利要求3所述的扇出型封装方法,其特征在于,

所述第一芯片和所述环形围坝在所述第二散热片上的正投影位于所述第二散热片内。

5.根据权利要求1所述的扇出型封装方法,其特征在于,所述至少使所述环形围坝和所述第一芯片固定连接,包括:

在所述第一芯片的侧面外围以及所述环形围坝的侧面外围形成胶层;其中,所述胶层为绝缘胶;或者,所述胶层具有导电性。

6.根据权利要求5所述的扇出型封装方法,其特征在于,所述在所述第一芯片的侧面外围形成环形围坝的步骤之前,包括:

同时形成多个导电柱和多个导电凸点;其中,所述多个导电柱位于所述第一芯片的侧面外围,所述多个导电凸点位于所述第一芯片的功能面上。

7.根据权利要求6所述的扇出型封装方法,其特征在于,所述导电柱位于所述胶层的外围,所述去除所述载板,并在所述第一芯片的非功能面一侧设置第一散热片的步骤,包括:

使所述载板设置有所述第一芯片一侧朝向导电基板,并使所述导电柱和所述导电凸点与所述导电基板电连接;

去除所述载板;

在所述第一芯片的非功能面设置所述第一散热片,且所述导电柱从所述第一散热片中露出。

8.根据权利要求7所述的扇出型封装方法,其特征在于,

所述第一散热片包括底板以及自所述底板延伸的多个侧板;

其中,所述底板在所述导电基板上的正投影覆盖所述第一芯片和所述环形围坝,所述侧板穿设在所述环形围坝和所述导电柱之间的间隙并与所述导电基板接触。

9.根据权利要求6所述的扇出型封装方法,其特征在于,所述胶层为绝缘胶,所述导电柱位于所述胶层内,所述去除所述载板的步骤之前,包括:

在所述绝缘层背离所述载板一侧形成第一再布线层,且所述第一再布线层与所述导电柱的一端和所述第一芯片的功能面电连接。

10.根据权利要求9所述的扇出型封装方法,其特征在于,

所述第一散热片在所述绝缘层上的正投影覆盖所述第一芯片、所述环形围坝以及与所述环形围坝邻近的部分所述导电柱;或者,

所述去除所述载板的步骤之后,还包括:在所述导电柱的另一端设置第二再布线层,所述第二再布线层与所述导电柱电连接;

所述第一散热片在所述绝缘层上的正投影覆盖所述第一芯片和所述环形围坝。

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