[发明专利]扇出型封装方法在审

专利信息
申请号: 202111671780.9 申请日: 2021-12-31
公开(公告)号: CN114464541A 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 陶玉娟;姜艳 申请(专利权)人: 通富微电子股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/367
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 张庆玲
地址: 226000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 扇出型 封装 方法
【说明书】:

本申请公开了一种扇出型封装方法,该方法包括:在载板的第一表面设置第一芯片;其中,所述第一芯片包括相背设置的功能面和非功能面,且所述第一芯片的功能面背离所述第一表面;在所述第一芯片的侧面外围形成环形围坝;至少使所述环形围坝和所述第一芯片固定连接;去除所述载板,并在所述第一芯片的非功能面一侧设置第一散热片。通过上述方式,本申请能够降低芯片翘曲的概率并提高扇出型器件的散热效果。

技术领域

本申请涉及半导体封装技术领域,特别是涉及一种扇出型封装方法。

背景技术

传统的扇出型封装方法在对芯片进行封装后,由于封装结构内的材料因收缩产生形变,容易造成芯片在封装结构内产生偏移,减少了芯片的使用寿命,并且传统的扇出型封装器件容易因为散热性能差而影响扇出型器件的性能。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种扇出型封装方法,能够降低芯片翘曲的概率并提高扇出型器件的散热效果。

为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种扇出型封装方法,包括:在载板的第一表面设置第一芯片;其中,所述第一芯片包括相背设置的功能面和非功能面,且所述第一芯片的功能面背离所述第一表面;在所述第一芯片的侧面外围形成环形围坝;至少使所述环形围坝和所述第一芯片固定连接;去除所述载板,并在所述第一芯片的非功能面一侧设置第一散热片。

其中,所述在载板的第一表面设置第一芯片的步骤,包括:使所述第一芯片的非功能面朝向所述载板,且所述第一芯片的非功能面与所述载板之间设置有第二散热片。

其中,所述使所述第一芯片的非功能面朝向所述载板,且所述第一芯片的非功能面与所述载板之间设置有第二散热片的步骤,包括:在所述载板第一表面形成第一金属层,并对所述第一芯片的非功能面做背金处理;其中,所述第一金属层形成所述第二散热片;使所述第一芯片的非功能面与所述第一金属层固定。

其中,所述第一芯片和所述环形围坝在所述第二散热片上的正投影位于所述第二散热片内。

其中,所述至少使所述环形围坝和所述第一芯片固定连接,包括:在所述第一芯片的侧面外围以及所述环形围坝的侧面外围形成胶层;其中,所述胶层为绝缘胶;或者,所述胶层具有导电性。

其中,所述在所述第一芯片的侧面外围形成环形围坝的步骤之前,包括:同时形成多个导电柱和多个导电凸点;其中,所述多个导电柱位于所述第一芯片的侧面外围,所述多个导电凸点位于所述第一芯片的功能面上。

其中,所述导电柱位于所述胶层的外围,所述去除所述载板,并在所述第一芯片的非功能面一侧设置第一散热片的步骤,包括:使所述载板设置有所述第一芯片一侧朝向导电基板,并使所述导电柱和所述导电凸点与所述导电基板电连接;去除所述载板;在所述第一芯片的非功能面设置所述第一散热片,且所述导电柱从所述第一散热片中露出。

其中,所述第一散热片包括底板以及自所述底板延伸的多个侧板;其中,所述底板在所述导电基板上的正投影覆盖所述第一芯片和所述环形围坝,所述侧板穿设在所述环形围坝和所述导电柱之间的间隙并与所述导电基板接触。

其中,所述胶层为绝缘胶,所述导电柱位于所述胶层内,所述去除所述载板的步骤之前,包括:在所述胶层背离所述载板一侧形成第一再布线层,且所述第一再布线层与所述导电柱的一端和所述第一芯片的功能面电连接。

其中,所述第一散热片在所述胶层上的正投影覆盖所述第一芯片、所述环形围坝以及与所述环形围坝邻近的部分所述导电柱;或者,所述去除所述载板的步骤之后,还包括:在所述导电柱的另一端设置第二再布线层,所述第二再布线层与所述导电柱电连接;所述第一散热片在所述胶层上的正投影覆盖所述第一芯片和所述环形围坝。

本申请的有益效果是:区别于现有技术的情况,本申请通过设置环形围坝降低了胶层中材料因收缩而产生的形变量,降低了第一芯片翘曲的概率。另外,通过设置第一散热片和第二散热片极大提升了扇出型器件的散热性能。

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