[发明专利]具有低缺陷率的有机金属辐射可图案化涂层及相应方法

权利要求书

1.一种晶片结构，所述晶片结构包括：具有平滑顶部表面的衬底和辐射敏感有机金属涂层，所述辐射敏感有机金属涂层具有不超过100nm的平均厚度，并且针对尺寸大于48nm的缺陷、排除3mm边缘进行评估的情况下，所述辐射敏感有机金属涂层具有不超过约每平方厘米1个缺陷。

2.根据权利要求1所述的晶片结构，所述晶片结构包括：横跨所述衬底的表面和/或在所述衬底的层中的硅晶片、二氧化硅衬底、陶瓷材料、聚合物衬底、其组合物以及其组合。

3.根据权利要求1所述的晶片结构，所述晶片结构包括硅晶片。

4.根据权利要求1所述的晶片结构，其中，所述辐射敏感有机金属涂层包括由式RSnO_(1.5-(x/2))(OH)_x表示的组合物，其中0＜x≤3，

其中R是具有1-31个碳原子的有机配位基，其中碳原子键合到Sn，并且一个或多个碳原子可选地以一个或多个杂原子官能团取代。

5.根据权利要求4所述的晶片结构，其中，所述辐射敏感有机金属涂层包括不同化学结构的多个R基。

6.根据权利要求4所述的晶片结构，其中，R为具有1-10个碳原子的烷基或环烷基。

7.根据权利要求4所述的晶片结构，其中，R是由R¹R²R³C-表示的支链烷基配位基，其中R¹和R²独立地为具有1-10个碳原子的烷基，R³为氢或具有1-10个碳原子的烷基。

8.根据权利要求4所述的晶片结构，其中，R包括甲基(CH₃-)、乙基(CH₃CH₂-)、异丙基(CH₃CH₃HC-)、叔丁基((CH₃)₃C-)、叔戊基(CH₃CH₂(CH₃)₂C-)、仲丁基(CH₃(CH₃CH₂)CH-)、新戊基((CH₃)₃CCH₂-)、环己基、环戊基、环丁基、苄基、烯丙基或环丙基。

9.根据权利要求1所述的晶片结构，其中，所述辐射敏感有机金属涂层具有不超过50nm的平均厚度。

10.根据权利要求1所述的晶片结构，针对尺寸大于48nm的缺陷、排除3mm边缘进行评估的情况下，所述晶片结构具有不超过约每平方厘米0.5个缺陷。

11.根据权利要求1所述的晶片结构，针对尺寸大于48nm的缺陷、排除3mm边缘进行评估的情况下，所述晶片结构具有不超过约每平方厘米0.2个缺陷。

12.根据权利要求1所述的晶片结构，其中，所述涂层具有非常低的非锡金属污染和不超过2wt％的多烷基锡氧化物氢氧化物污染。