[发明专利]具有低缺陷率的有机金属辐射可图案化涂层及相应方法

说明书

本发明公开了一种具有低缺陷率的有机金属辐射可图案化涂层及相应方法。在形成尤其用于EUV图案化的辐射可图案化结构的背景下，描述了晶片结构，其包括具有光滑顶部表面的衬底和辐射敏感有机金属涂层，辐射敏感有机金属涂层具有不超过100nm的平均厚度，并且在针对尺寸大于48nm的缺陷、排除3mm边缘进行评估的情况下，辐射敏感有机金属涂层具有不超过约每平方厘米1个缺陷。用于形成低缺陷涂层的相应方法包括：使用旋涂机系统，将经纯化辐射敏感有机金属抗蚀剂溶液旋涂到晶片上以形成经涂覆晶片，旋涂机系统包括输送管线和连接到输送管线的输送喷嘴，并且干燥经涂覆晶片以形成辐射敏感有机金属涂层，该辐射敏感有机金属涂层在针对尺寸大于48nm的缺陷、排除3mm边缘进行评估的情况下，具有不超过约每平方厘米1个缺陷。提供了用于从可辐射图案化的有机金属抗蚀剂组合物中去除微粒的改善的过滤方法。

技术领域

本发明涉及单烷基锡组合物，具体为已经被涂覆以形成具有低缺陷数量的辐射可图案化涂层的单烷基锡三烷氧化物和单烷基锡三胺。可以处理前驱物组合物以具有低金属污染和/或低微粒污染。

背景技术

有机金属化合物的溶液形成含有辐射敏感的金属-碳键的涂层，该涂层可以用于以光刻方式来图案化结构。对具有不断缩小尺寸的半导体材料和装置的处理产生了对具有低微粒计数的高纯度溶液的需求，以减轻污染问题，最小化图案缺陷，并且实现有机金属光致抗蚀剂的优点。用于微电子应用的半导体材料的处理和性能可能对金属污染物敏感。为了使用光刻技术生产微电子产品，适当控制金属污染物可以减少因不满足产品规格而造成的浪费。

发明内容

在第一方面中，本发明涉及一种晶片结构，该晶片结构包括具有光滑顶部表面的衬底和辐射敏感有机金属涂层，该辐射敏感有机金属涂层具有不超过100nm的平均厚度，并且针对尺寸大于48nm的缺陷、排除3mm边缘进行评估的情况下，该辐射敏感有机金属涂层具有不超过约每平方厘米1个缺陷。

在另一方面中，本发明涉及一种用于形成低缺陷涂层的方法，该方法包括使用旋涂机系统将经纯化辐射敏感有机金属抗蚀剂溶液旋涂到晶片上以形成经涂覆的晶片，并且干燥经涂覆晶片以形成辐射敏感有机金属涂层，其中该旋涂机系统包括输送管线和连接到输送管线的输送喷嘴，该辐射敏感有机金属涂层在针对尺寸大于48nm的缺陷、排除3mm边缘进行评估的情况下，具有不超过约每平方厘米1个缺陷。通常，有机金属抗蚀剂溶液具有约0.01M至约0.25M的锡浓度，并且在微粒尺寸为至少约70nm的情况下，已经被过滤为包含不超过约10微粒/mL，并且有机金属抗蚀剂溶液从连接到输送管线的容器输送，其中微粒杂质在基本上没有气泡的条件下在封闭过滤系统中进行测量。此外，有机金属抗蚀剂溶液的输送可在限制容器与输送喷嘴之间的水接触的条件下执行。

在另一方面中，本发明涉及一种用于形成具有低微粒污染的有机金属抗蚀剂组合物的方法，该方法包括：

使用叶轮式泵，通过第一过滤器在第一过滤回路上循环来自第一混合容器的有机金属抗蚀剂组合物，以去除微粒污染物来形成第一过滤组合物，该第一混合容器具有入口和出口；

将第一过滤组合物引导到第二过滤回路，该第二过滤回路包括第二混合容器；

使用叶轮式泵，通过第二过滤器在第二过滤回路内循环第一过滤组合物，以去除微粒污染物来形成第二过滤组合物，直到第二过滤组合物达到纯化参数为止，该纯化参数包括低于设计水平的微粒浓度、高于设计水平的通过过滤器的体积转移、或其组合；

其中在基本上没有气泡的封闭系统中在管线内测量微粒浓度；

将经过滤的有机金属抗蚀剂组合物放置到清洁室内的容器中，其中沿着所述第二过滤回路从分支阀引导流；并且

密封所述清洁室内的容器。

在另一方面中，本发明涉及一种用于从有机金属抗蚀剂组合物中去除微粒的设备，该设备包括：