[发明专利]太阳能电池板、电池片及电池片的生产工艺

权利要求书

1.一种电池片的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：

在N型硅片的背面形成氧化硅层；

在所述氧化硅层上形成N型硅层，其中，所述N型硅层的磷烷浓度处于第一预设浓度范围内，使得所述N型硅层中掺杂了一定浓度的磷烷，从而使得所述N型硅层在高温退火工序能够对氢原子进行束缚，进而能够避免因氢原子的逃逸产生的溢散而引起的爆膜；

在所述N型硅层上形成减反射层并在所述减反射层上形成背面电极。

2.根据权利要求1所述的电池片的生产工艺，其特征在于，在所述氧化硅层上形成N型硅层的步骤中，包括：

在所述氧化硅层上形成第一N型硅层，所述第一N型硅层的磷烷浓度处于第一预设浓度范围内；

在所述第一N型硅层上形成第二N型硅层，所述第二N型硅层的磷烷浓度处于第一预设浓度范围内，且所述第二N型硅层的磷烷浓度大于所述第一N型硅层的磷烷浓度。

3.根据权利要求2所述的电池片的生产工艺，其特征在于，在所述第一N型硅层上形成第二N型硅层的步骤中，包括：

所述第二N型硅层的磷烷浓度至少为所述第一N型硅层的磷烷浓度的两倍。

4.根据权利要求2所述的电池片的生产工艺，其特征在于，在所述氧化硅层上形成第一N型硅层的步骤中，包括：通入小于或等于1000sccm的磷烷；在所述氧化硅层上形成第二N型硅层的步骤中，包括：通入大于或等于2000sccm的磷烷。

5.根据权利要求2所述的电池片的生产工艺，其特征在于，在所述氧化硅层上形成第一N型硅层的步骤中，包括：所述第一N型硅层的磷烷浓度随所述第一N型硅层的厚度的增加而递增；和/或在所述氧化硅层上形成第二N型硅层的步骤中，包括：所述第二N型硅层的磷烷浓度随所述第二N型硅层的厚度的增加而递增。

6.根据权利要求2至5任一项所述的电池片的生产工艺，其特征在于，在所述氧化硅层上形成N型硅层的步骤中，包括：

形成所述第一N型硅层时与形成所述第二N型硅层时通入的硅烷浓度相同，且所述硅烷浓度大于所述第一N型硅层的磷烷浓度，所述硅烷浓度小于所述第二N型硅层的磷烷浓度。

7.根据权利要求6所述的电池片的生产工艺，其特征在于，在所述氧化硅层上形成N型硅层的步骤中，包括：

通入大于等于1200sccm、小于等于1800sccm的硅烷。

8.根据权利要求6所述的电池片的生产工艺，其特征在于，在形成所述第一N型硅层时与形成所述第二N型硅层时通入的硅烷浓度相同的步骤中，还包括：通入甲烷，且甲烷浓度小于等于三倍的硅烷浓度。

9.一种电池片，其特征在于，采用如权利要求1至8任一项所述的生产工艺生产得到。

10.一种太阳能电池板，其特征在于，包括如权利要求9所述的电池片。