[发明专利]太阳能电池板、电池片及电池片的生产工艺

说明书

本发明涉及一种太阳能电池板、电池片及电池片的生产工艺。通过在N型硅片的背面形成氧化硅层；在氧化硅层上形成N型硅层,其中,N型硅层的磷烷浓度处于第一预设浓度范围内；在N型硅层上形成减反射层并在减反射层上形成背面电极。在高温退火工序中利用磷烷能够对氢原子进行束缚，避免氢原子发生逃逸而发生爆膜，能够提升开路电压、转换效率与填充因子，还能增强背钝化效果，提升电池片的品质。

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，特别是涉及一种太阳能电池板、电池片及电池片的生产工艺。

背景技术

太阳能电池板的电池片在生产过程中，传统的方式包括先在N型硅片的背面隧穿氧化层上沉积一定厚度的超薄的本征多晶硅，再原位通入磷烷制备掺杂的N型多晶硅，起背面选择钝化的效果。

在采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积法)法制备掺杂的N型多晶硅时，通常会引入大量的氢以增强钝化效果。然而，在后续的高温退火工序中，氢原子会出现逃逸，从而引起爆膜现象，尤其在抛光片上或者抛光后再制绒的电池片上，高温退火后更容易发生爆膜，用显微镜观察时，在1mm²内出现爆膜点可高达200多个，爆膜直径约为1um-8um大小。同时，爆膜的点会成为缺陷而引起大量的载流子复合，从而降低了钝化效果，并降低了太阳能电池板的开压。

发明内容

基于此，有必要针对发生爆膜的问题，提供一种太阳能电池板、电池片及电池片的生产工艺。

其技术方案如下：

一方面，提供了一种电池片的生产工艺，包括以下步骤：

在N型硅片的背面形成氧化硅层；

在所述氧化硅层上形成N型硅层，其中，所述N型硅层的磷烷浓度处于第一预设浓度范围内；

在所述N型硅层上形成减反射层并在所述减反射层上形成背面电极。

下面进一步对技术方案进行说明：

在其中一个实施例中，在所述氧化硅层上形成N型硅层的步骤中，包括：

在所述氧化硅层上形成第一N型硅层，所述第一N型硅层的磷烷浓度处于第一预设浓度范围内；

在所述第一N型硅层上形成第二N型硅层，所述第二N型硅层的磷烷浓度处于第一预设浓度范围内，且所述第二N型硅层的磷烷浓度大于所述第一N型硅层的磷烷浓度。

在其中一个实施例中，在所述第一N型硅层上形成第二N型硅层的步骤中，包括：

所述第二N型硅层的磷烷浓度至少为所述第一N型硅层的磷烷浓度的两倍。

在其中一个实施例中，在所述氧化硅层上形成第一N型硅层的步骤中，包括：通入小于或等于1000sccm的磷烷；在所述氧化硅层上形成第二N型硅层的步骤中，包括：通入大于或等于2000sccm的磷烷。

在其中一个实施例中，在所述氧化硅层上形成第一N型硅层的步骤中，包括：所述第一N型硅层的磷烷浓度随所述第一N型硅层的厚度的增加而递增；和/或在所述氧化硅层上形成第二N型硅层的步骤中，包括：所述第二N型硅层的磷烷浓度随所述第二N型硅层的厚度的增加而递增。

在其中一个实施例中，在所述氧化硅层上形成N型硅层的步骤中，包括：

形成所述第一N型硅层时与形成所述第二N型硅层时通入的硅烷浓度相同，且所述硅烷浓度大于所述第一N型硅层的磷烷浓度，所述硅烷浓度小于所述第二N型硅层的磷烷浓度。

在其中一个实施例中，在所述氧化硅层上形成N型硅层的步骤中，包括：

通入大于等于1200sccm、小于等于1800sccm的硅烷。