[发明专利]一种电极和磁场调控离子插层制备可控石墨烯的方法

权利要求书

1.一种电极和磁场调控离子插层制备可控石墨烯的方法，其特征在于，包括：

将电解装置置于室温环境，然后将石墨薄片对向放置间距2～3cm作为电解电极，选取电解液，在5～15V的方波电压下稳定保持1～3h后调整电极间距至2-30cm，然后加入0-0.4T磁场辅助，控制电压为5～15V对石墨薄片进行剥离，然后过滤，洗涤，干燥，得到所述可控石墨烯。

2.根据权利要求1所述的电极和磁场调控离子插层制备可控石墨烯的方法，其特征在于，所述石墨薄片的制备方法为：将石墨粉体材料通过压片或自然粘结制备成石墨薄片。

3.根据权利要求2所述的电极和磁场调控离子插层制备可控石墨烯的方法，其特征在于，所述压片的具体方法为：将石墨粉体材料溶于二甲基甲酰胺中，抽滤后热压制备成石墨薄片；

所述自然粘结的具体方法为：将石墨粉体材料与粘接剂混合，涂布成片状，制备成石墨薄片。

4.根据权利要求3所述的电极和磁场调控离子插层制备可控石墨烯的方法，其特征在于，所述热压的条件为温度200～300℃，压力1～2Mpa。

5.根据权利要求1所述的电极和磁场调控离子插层制备可控石墨烯的方法，其特征在于，所述石墨薄片的厚度为1～5mm。

6.根据权利要求1所述的电极和磁场调控离子插层制备可控石墨烯的方法，其特征在于，所述电解液为中性、碱性或酸性溶液作为电解质，配制成浓度为0.1～3mol/L的电解液。

7.根据权利要求6所述的电极和磁场调控离子插层制备可控石墨烯的方法，其特征在于，所述中性电解液选自四丁基硫酸氢铵、四丁基硫酸铵、四乙基硫酸氢铵、四乙基硫酸铵中的一种或多种；碱性电解液选自氢氧化钾，氢氧化钠，碳酸氢钠，氨水中的一种或多种；酸性电解液选自硫酸，盐酸，次氯酸，磷酸中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的电极和磁场调控离子插层制备可控石墨烯的方法，其特征在于，所述剥离为四个阶段循环进行，直至石墨薄片完全电解剥落，各阶段参数分别为：

阶段一：电压5～10V，电压周期5s，周期数1200，电极间距2～3cm，电极方向正对；

阶段二：电压5～10V，电压周期5s，周期数1200，电极间距2～3cm，磁场0.4T，电极方向平行；

阶段三：电压5～10V，电压周期2s，周期数1200，电极间距3～30cm，磁场0.4T，电极方向正对；

阶段四：电压5～10V，电压周期10s，周期数60，电极间距3～30cm，磁场0.4T，电极方向平行。