[发明专利]量子点、量子点组合物、发光二极管及显示装置在审
| 申请号： | 202111678095.9 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN116426271A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 周礼宽;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;H10K59/10;H10K50/115;B82Y20/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 方艳丽 |
| 地址： | 516000 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子 组合 发光二极管 显示装置 | ||
1.一种量子点，所述量子点的结构包括量子点核/壳层1/······/壳层n，其中，n为大于等于1整数，其特征在于：所述量子点满足以下条件：
ECB壳层n-ECB核≤0.4eV (1)
其中，ECB壳层n为量子点的最外层壳层n的导带底能级，ECB核为量子点核的导带底能级，1≤m≤n。
2.如权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述量子点还满足以下条件：
EVB核-EVB壳层m≥0.4eV (2)
其中，EVB核为量子点核的价带顶能级，EVB壳层m为量子点的第m个壳层的价带顶能级。
3.如权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述量子点的量子点核与各壳层的导带底能级沿着量子点核向着最外层壳层n的方向依次增大，且量子点核与各壳层的价带顶能级沿着量子点核向着最外层壳层n的方向依次减小；或者
所述量子点的量子点核与各壳层的导带底能级沿着量子点核向着最外层壳层n的方向依次减小，且量子点核与各壳层的价带顶能级沿着量子点核向着最外层壳层n的方向依次减小。
4.如权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述量子点的壳层n的范围为1≤n≤5。
5.如权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述壳层的材料选自CdSe、CdZnSe、CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnS、PbSe、ZnTe、CdSeS、ZnSe、ZnS、ZnSeS、PbS、PbTe、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、InP、InAs、InZnP、InGaP及InGaN中的至少一种。
6.如权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述量子点核的材料选自CdSe、CdZnSe、CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnS、PbSe、ZnTe、CdSeS、ZnSe、ZnS、ZnSeS、PbS、PbTe、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、InP、InAs、InZnP、InGaP及InGaN中的至少一种。
7.如权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述量子点为InGaP/ZnSeS，量子点核InGaP中的Ga的摩尔量为In与Ga总摩尔量的5-15％，壳层ZnSeS中的S的摩尔量为Se与S总摩尔量的30-60％；或者
所述InGaP/ZnSeS满足：ECB壳层1-ECB核的范围为0.2～0.35eV，EVB核-EVB壳层1的范围为0.45～0.65eV。
8.如权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述量子点为CdZnSe/CdS，量子点核CdZnSe中的Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的15～30％；或者
所述CdZnSe/CdS满足：ECB壳层1-ECB核的范围为0.15～0.3eV，EVB核-EVB壳层1的范围为0.4～0.6eV。
9.如权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述量子点为CdSe/CdSeS/CdS，第1壳层CdSeS中Se的摩尔量为Se与S总摩尔量的60～85％；或者
所述CdSe/CdSeS/CdS满足：ECB壳层2ECB壳层1ECB核，EVB壳层2EVB壳层1EVB核，ECB壳层2-ECB核的范围为0.2～0.35eV，且EVB核-EVB壳层2的范围为0.4～0.55eV。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL科技集团股份有限公司，未经TCL科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111678095.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
