[发明专利]量子点、量子点组合物、发光二极管及显示装置

说明书

本申请公开了一种量子点、量子点组合物、发光二极管及显示装置，所述量子点的结构包括量子点核/壳层1/······/壳层n，其中，n为大于等于1整数，所述量子点满足以下条件：Esubgt;CB壳层n/subgt;‑Esubgt;CB核/subgt;≤0.4eV (1)其中，Esubgt;CB壳层n/subgt;为量子点的最外层壳层n的导带底能级，Esubgt;CB核/subgt;为量子点核的导带底能级，1≤m≤n。所述量子点具有空穴限域、电子非限域的特性，可以阻挡空穴进入量子点核的内部，而使电子顺利的进入量子点核的内部。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子点、包括所述量子点的量子点组合物、发光二极管及显示装置。

背景技术

量子点材料因具有独特的光学特性而被广泛应用于发光领域，其中，量子点发光二极管(QLED)的发光层材料即为量子点。与有机电致发光二极管(OLED)相比，量子点发光二极管具有发光光谱窄、色域广、稳定性好、制作成本低等优势。

在量子点发光二极管中，由于载流子传输层的迁移率和各能级势垒的差异，导致注入到发光层的电子和空穴注入不平衡，电子和空穴不平衡会致使量子点处于带电状态，而带电的量子点会产生非辐射俄歇复合，最终导致量子点发光二极管的寿命较短。

然而，量子点发光二极管会因为发光层及功能层的材料及厚度等的不同而具有不同的电子迁移率和/或空穴迁移率，而导致现有的量子点发光二极管会存在空穴注入过量的情况，而导致发光层中注入的电子和空穴不平衡，进而导致量子点发光二极管的寿命较短。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种量子点，旨在改善现有的量子点用于量子点发光二极管时量子点发光二极管的寿命。

本申请实施例是这样实现的，一种量子点，所述量子点的结构包括量子点核/壳层1/······/壳层n，其中，n为大于等于1整数，所述量子点满足以下条件：

E_CB壳层n-E_CB核≤0.4eV   (1)

其中，E_CB壳层n为量子点的最外层壳层n的导带底能级，E_CB核为量子点核的导带底能级，1≤m≤n。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点还满足以下条件：

E_VB核-E_VB壳层m≥0.4eV   (2)

其中，E_VB核为量子点核的价带顶能级，E_VB壳层m为量子点的第m个壳层的价带顶能级。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点的量子点核与各壳层的导带底能级沿着量子点核向着最外层壳层n的方向依次增大，且量子点核与各壳层的价带顶能级沿着量子点核向着最外层壳层n的方向依次减小；或者

所述量子点的量子点核与各壳层的导带底能级沿着量子点核向着最外层壳层n的方向依次减小，且量子点核与各壳层的价带顶能级沿着量子点核向着最外层壳层n的方向依次减小。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点的壳层n的范围为1≤n≤5。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述壳层的材料选自CdSe、CdZnSe、CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnS、PbSe、ZnTe、CdSeS、ZnSe、ZnS、ZnSeS、PbS、PbTe、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、InP、InAs、InZnP、InGaP及InGaN中的至少一种。