[发明专利]一种半导体激光器降低出光面温度的方法在审
| 申请号： | 202111678385.3 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114583549A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 赵桑之;周德来 | 申请（专利权）人： | 深圳市柠檬光子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 孙中勤 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 降低 光面 温度 方法 | ||
1.一种半导体激光器降低出光面温度的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
在半导体激光器芯片(1)的P面添加用于增加芯片厚度的加厚层(3)；
把所述半导体激光器芯片(1)的P面朝向过渡热沉(2)的上表面；
把所述半导体激光器芯片(1)贴设到过渡热沉(2)边缘的后方，其中，半导体激光器芯片(1)的出光面(5)与过渡热沉(2)边缘的距离根据加厚层(3)的厚度以及快轴发散角决定，实现提高散热效果并减少焊料(4)污染以及减少热沉挡光。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器降低出光面温度的方法，其特征在于，所述把所述半导体激光器芯片(1)贴设到过渡热沉(2)边缘的后方，具体包括：
测量所述半导体激光器芯片(1)的出光面(5)到过渡热沉(2)A面的距离数据h，其中，所述过渡热沉(2)A面为半导体激光器芯片(1)与过渡热沉(2)的接触面；
测量所述半导体激光器芯片(1)的快轴发散角θ；
通过公式计算出回缩距离x；
把所述半导体激光器芯片(1)回缩到过渡热沉(2)边缘的后方，直至半导体激光器芯片(1)的出光面(5)与过渡热沉(2)边缘的距离为回缩距离x。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器降低出光面温度的方法，其特征在于，所述加厚层(3)靠近过渡热沉(2)的一侧设有用于保护加厚层(3)的保护层(31)。
4.根据权利要求3所述的半导体激光器降低出光面温度的方法，其特征在于，所述保护层(31)背离加厚层(3)的一侧设有与过渡热沉(2)相接触的薄金层(32)。
5.根据权利要求1所述的半导体激光器降低出光面温度的方法，其特征在于，所述加厚层(3)包括但不限于下述金属及其合金，所述金属包括钛、铂、金、镍、锗、钯、钨、铬、铝以及铜。
6.根据权利要求1所述的半导体激光器降低出光面温度的方法，其特征在于，所述把所述半导体激光器芯片(1)的P面朝向过渡热沉(2)的上表面，具体包括：
把所述半导体激光器芯片(1)的P面朝向过渡热沉(2)；
把所述半导体激光器芯片的出光面(5)与过渡热沉(2)的侧壁相平行。
7.根据权利要求1所述的半导体激光器降低出光面温度的方法，其特征在于，所述加厚层(3)的厚度为5-20微米之间。
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