[发明专利]一种半导体激光器降低出光面温度的方法在审

专利信息
申请号: 202111678385.3 申请日: 2021-12-31
公开(公告)号: CN114583549A 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 赵桑之;周德来 申请(专利权)人: 深圳市柠檬光子科技有限公司
主分类号: H01S5/028 分类号: H01S5/028;H01S5/024
代理公司: 北京维正专利代理有限公司 11508 代理人: 孙中勤
地址: 518101 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体激光器 降低 光面 温度 方法
【说明书】:

本申请公开了一种半导体激光器降低出光面温度的方法,其包括以下步骤:在半导体激光器芯片的P面添加用于增加芯片厚度的加厚层;把半导体激光器芯片的P面朝向过渡热沉的上表面;把半导体激光器芯片贴设到过渡热沉边缘的后方,其中,半导体激光器芯片的出光面与过渡热沉边缘的距离根据加厚层的厚度以及快轴发散角决定。本申请可以提高芯片出光面的散热效率,同时解决可能由此带来的焊料污染以及热沉阻挡光的问题。

技术领域

发明涉及半导体激光器领域,尤其是涉及一种半导体激光器降低出光面温度的方法。

背景技术

半导体激光器又名激光二极管,是一种使用半导体材料作为工作物质的激光器,具有体积小、重量轻、效率高等优点。

传统的半导体激光器芯片为了防止出射的激光光束被过渡热沉挡住,同时为了防止过渡热沉上的焊料污染出光面,会把半导体激光器芯片伸出过渡热沉的边缘外,半导体激光器芯片伸出的部分因为没有与过渡热沉相接触,使得半导体激光器芯片伸出的部分无法直接向过渡热沉传递热量,需要热流回流到半导体激光器芯片与过渡热沉相接触的部分,再利用垂直散热路径进行散热。

在实现本申请过程中,发明人发现该技术中至少存在如下问题:在传统的半导体激光器的使用中,由于半导体激光器芯片的出光面散热效果较差,使得半导体激光器芯片出光面的温度比其余部分更高,容易导致半导体激光器芯片烧毁的情况发生,使得生产成本的增加。

发明内容

为了在减少焊料污染和尽量避免热沉挡光的前提下提高散热效果,本申请提供一种半导体激光器降低出光面温度的方法。

本申请提供的一种半导体激光器降低出光面温度的方法采用如下的技术方案:

一种半导体激光器降低出光面温度的方法,所述方法包括以下步骤:

在半导体激光器芯片的P面添加用于增加芯片厚度的加厚层;

把所述半导体激光器芯片的P面朝向过渡热沉的上表面;

把所述半导体激光器芯片贴设到过渡热沉边缘的后方,其中,半导体激光器芯片的出光面与过渡热沉边缘的距离根据加厚层的厚度以及快轴发散角决定,实现提高散热效果并减少焊料污染以及减少热沉挡光。

通过采用上述技术方案,设置的加厚层能够减少出射的激光光束被过渡热沉阻挡的情况,同时增加出光面与焊料之间的距离,使焊料不易在焊接的过程中攀附到出光面造成污染,减少焊料污染出光面的情况;而把半导体激光器芯片贴设到过渡热沉边缘的后方,可以增加半导体激光器芯片与过渡热沉的接触面积,从而提高散热效果。

可选的,所述把所述半导体激光器芯片贴设到过渡热沉边缘的后方,具体包括:

测量所述半导体激光器芯片的出光面到过渡热沉A面的距离数据h,其中,所述过渡热沉A面为半导体激光器芯片与过渡热沉的接触面;

测量所述半导体激光器芯片的快轴发散角θ;

通过公式计算出回缩距离x;

把所述半导体激光器芯片回缩到过渡热沉边缘的后方,直至半导体激光器芯片的出光面与过渡热沉边缘的距离为回缩距离x。

通过采用上述技术方案,根据计算得出的回缩距离x把半导体激光器芯片回缩到过渡热沉边缘的后方,能够增加半导体激光器芯片与过渡热沉的接触面积,提高散热效果,有效的降低半导体激光器芯片出光面在工作时的温度,提高FCOD阀值,从而提高最高输出功率。

可选的,所述加厚层靠近过渡热沉的一侧设有用于保护加厚层的保护层。

通过采用上述技术方案,保护层能够减少加厚层和焊料发生反应生成合金的情况,从而保护加厚层,提高加厚层的使用寿命。

可选的,所述保护层背离加厚层的一侧设有与过渡热沉相接触的薄金层。

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