[发明专利]显示基板及其制备方法、显示面板在审
申请号: | 202111681374.0 | 申请日: | 2021-12-31 |
公开(公告)号: | CN114335127A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 毛成根;萧智鸿;周小康;娄振花;王晓文;刘绍慧;代康 | 申请(专利权)人: | 北京维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 秦卫中 |
地址: | 100000 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 面板 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
基底;
像素界定层,位于所述基底上且设置有多个凹槽;
多个发光器件,每个所述发光器件包括依次叠置在所述基底上的阳极、第一共通层和发光层,所述发光层位于所述凹槽中,所述第一共通层覆盖所述凹槽和所述像素界定层;以及
光致膨胀材料层,位于所述像素界定层的背离所述基底的一侧,且位于所述像素界定层和所述第一共通层之间;
其中,所述第一共通层的覆盖所述光致膨胀材料层的部分具有裂纹。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述发光器件包括出射最短波长光线的发光器件和出射非最短波长光线的发光器件,以及
所述出射最短波长光线的发光器件和所述出射非最短波长光线的发光器件之间设置所述光致膨胀材料层。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,
所述光致膨胀材料层设置为仅环绕所述出射最短波长光线的发光器件所在的所述凹槽;或者
所述光致膨胀材料层设置为仅环绕所述出射非最短波长光线的发光器件所在的所述凹槽。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,
所述光致膨胀材料层沿所述凹槽的开口周向延伸呈闭合环形;或者
所述光致膨胀材料层沿所述凹槽的开口周向延伸呈非闭合环形。
5.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,
所述光致膨胀材料层设置为网格状,且所述光致膨胀材料层上的网孔与所述凹槽一一对应。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的显示基板,其特征在于,
所述第一共通层包括空穴注入层和/或空穴传输层。
7.根据权利要求1-5中任一项所述的显示基板,其特征在于,
所述光致膨胀类材料层包括螺苯并毗喃类高分子衍生物、偶氮苯类高分子衍生物和聚丙烯酸酯类高分子衍生物中的一种或多种。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的显示基板,其特征在于,
所述显示基板还包括第二共通层和阴极,所述第二共通层位于所述发光层远离所述基底的一侧,且所述阴极位于所述第二共通层远离所述基底的一侧。
9.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-8中任意一项所述的显示基板。
10.一种显示基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
提供基底;
在所述基底上形成多个阳极;
在所述基底上形成像素界定层,并在所述像素界定层中形成多个与所述阳极对应的凹槽,所述凹槽暴露所述阳极;
在形成有所述像素界定层的基底上形成光致膨胀材料层,所述光致膨胀材料层位于所述像素界定层的背离所述基底的一侧;
在形成有所述光致膨胀材料层的所述基底上沉积形成第一共通层,对所述光致膨胀材料层光照,以使得所述第一共通层的覆盖所述光致膨胀材料层的部分形成裂纹;以及
在形成有所述第一共通层的基底上形成发光层,所述发光层形成在所述凹槽中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的