[发明专利]显示基板及其制备方法、显示面板在审
申请号: | 202111681374.0 | 申请日: | 2021-12-31 |
公开(公告)号: | CN114335127A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 毛成根;萧智鸿;周小康;娄振花;王晓文;刘绍慧;代康 | 申请(专利权)人: | 北京维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 秦卫中 |
地址: | 100000 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 面板 | ||
本申请提供了一种显示基板及其制备方法和显示面板。显示基板包括基底、像素界定层、光致膨胀材料层和多个发光器件,像素界定层位于基底上且设置有多个凹槽,每个所述发光器件包括依次叠置在基底上的阳极、第一共通层和发光层,发光层位于凹槽中,第一共通层覆盖凹槽和像素界定层,光致膨胀材料层位于所述像素界定层的背离基底的一侧且位于像素界定层和第一共通层之间,第一共通层的覆盖光致膨胀材料层的部分具有裂纹。在该显示基板中,通过设置光致膨胀材料层,可有效缓解或者消除相邻发光器件的电流串扰。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示基板及其制备方法和显示面板。
背景技术
在OLED显示产品中,由于出射红光(R)的发光器件、出射绿光(G) 的发光器件、出射蓝光(B)的发光器件之间存在三色能带差异,导致三种发光器件的启亮电压经常有差异。出射蓝光(B)的发光器件的启亮电压通常最高,出射红光(R)的发光器件的启亮电压最低。在低灰阶点亮发光器件时,电流会经由共通层从一个发光器件(例如出射蓝光(B)的发光器件) 流向另一个发光器件(例如出射红光(R)、绿光(G)的发光器件),这造成不同发光器件间因电流串扰而导致OLED显示产品出现光色串扰。出射不同颜色光的发光器件之间的开启电压差距越大,光色串扰越严重,造成低灰阶下单色光色坐标出现偏差,白光色坐标偏移,或低灰阶白光匹配失败。
针对由于出射红光(R)的发光器件、出射绿光(G)的发光器件、出射蓝光(B)的发光器件三种发光器件的开启电压不同,导致不同颜色间存在电压差,不同发光器件通过共通层存在漏电串扰导致存在低灰阶下单色光色坐标偏移的问题,需要研究一种防串扰结构。
发明内容
有鉴于此,本申请提供一种显示基板,通过将相邻发光器件的共用层断开,以解决相邻发光器件间存在漏电串扰而造成低灰阶下单色光色坐标偏移的问题。
本申请第一方面提供了一种显示基板,显示基板包括基底以及位于基底上的像素界定层、光致膨胀材料层和多个发光器件。像素界定层位于基底上且设置有多个凹槽,每个发光器件包括依次叠置在基底上的阳极、第一共通层和发光层,发光层位于凹槽中,第一共通层覆盖凹槽和像素界定层,光致膨胀材料层位于像素界定层的背离基底的一侧,且位于像素界定层和第一共通层之间。第一共通层的覆盖光致膨胀材料层的部分具有裂纹。
在上述方案中,光致膨胀材料层铺设在像素界定层和第一共通层之间,只要光致膨胀材料层受到光线照射即可膨胀变形,第一共通层受到来自光致膨胀材料层的作用力,因而变形并产生裂纹,该裂纹的存在提升了第一共通层的电阻。这种方案的结构简单,对应的工艺也简单,需要的生产设备要求低,成本低。
在本公开第一方面的一个具体实施方式中,显示基板还包括第二共通层和阴极,第二共通层位于发光层远离基底的一侧,阴极位于第二共通层远离基底的一侧。
在本公开第一方面的一个具体实施方式中,发光器件包括出射最短波长光线的发光器件和出射非最短波长光线的发光器件,出射最短波长光线的发光器件和出射非最短波长光线的发光器件之间设置光致膨胀材料层。
在显示基板中,与出射非最短波长光线的发光器件的驱动电压相比,出射最短波长光线的发光器件的驱动电压相对较高,从而容易向其它相邻的发光器件串扰电流。在上述方案中,主要在出射最短波长光线的发光器件和出射非最短波长光线的发光器件之间设置光致膨胀材料层,可以有效降低从出射最短波长光线的发光器件和出射非最短波长光线的发光器件之间的电流串扰。
在本公开第一方面的一个具体实施方式中,光致膨胀材料层设置为仅环绕出射最短波长光线的发光器件所在的凹槽;或者,光致膨胀材料层设置为仅环绕出射非最短波长光线的发光器件所在的凹槽。
在上述方案中,仅在部分发光器件的周围设置光致膨胀材料层,可在降低出射最短波长光线的发光器件与出射非最短波长光线的发光器件间的串扰的同时,降低光致膨胀材料层的设计面积,以降低成本。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的