[发明专利]存储器及其编程操作方法、外围电路以及存储系统

权利要求书

1.一种存储器的编程操作方法，所述存储器沿预设方向依序包括串联连接的阵列共源极、底部层级、中部层级、顶部层级以及位线，所述方法包括：

进行编程操作的预充电，包括：

向所述阵列共源极和所述位线提供第一电压；以及

向所述存储器中的已编程态存储单元提供第二电压，以使所述已编程态存储单元中的沟道导通，其中，所述已编程态存储单元位于所述中部层级和所述顶部层级中的至少之一；以及

对所述中部层级中的中部待编程存储单元进行编程操作。

2.根据权利要求1所述的编程操作方法，其特征在于，所述第一电压小于所述第二电压。

3.根据权利要求2所述的编程操作方法，其特征在于，

所述中部层级包括第二结合区域，用于电连接所述中部层级和所述顶部层级，其中，进行编程操作的预充电还包括：向所述第二结合区域提供所述第一电压；以及

所述已编程态存储单元包括：所述顶部层级中的顶部已编程存储单元以及所述中部层级中的中部已编程存储单元。

4.根据权利要求3所述的编程操作方法，其特征在于，进行编程操作的预充电还包括：

向所述存储器中的具有初始电压的单元提供所述第一电压，其中，具有初始电压的单元包括所述底部层级中的底部辅助单元和所述顶部层级中的顶部辅助单元中的至少之一。

5.根据权利要求3所述的编程操作方法，其特征在于，所述中部待编程存储单元与所述中部已编程存储单元相邻且位于所述中部已编程存储单元远离所述位线的一侧。

6.根据权利要求4所述的编程操作方法，其特征在于，进行编程操作的预充电的步骤包括：

同时向所述阵列共源极、所述底部辅助单元、所述第二结合区域、所述顶部辅助单元以及所述位线提供所述第一电压，以及向所述顶部已编程存储单元以及所述中部已编程存储单元提供所述第二电压。

7.根据权利要求4所述的编程操作方法，其特征在于，进行编程操作的预充电的步骤包括：

在第一导通阶段，向所述第二结合区域、所述顶部辅助单元以及所述位线提供所述第一电压，以及向所述顶部已编程存储单元以及所述中部已编程存储单元提供所述第二电压；以及

在所述第一导通阶段之后的第二导通阶段，向所述阵列共源极和所述底部辅助单元提供所述第一电压。

8.根据权利要求4所述的编程操作方法，其特征在于，进行编程操作的预充电的步骤包括：

在第一导通阶段，向所述阵列共源极和所述底部辅助单元提供所述第一电压；以及

在所述第一导通阶段之后的第二导通阶段，向所述第二结合区域、所述顶部辅助单元以及所述位线提供所述第一电压，以及向所述顶部已编程存储单元以及所述中部已编程存储单元提供所述第二电压。

9.根据权利要求4-8中任一项所述的编程操作方法，其特征在于，所述底部辅助单元包括底部选择晶体管和底部冗余存储单元，其中所述底部冗余存储单元与所述底部选择晶体管相邻且位于所述底部选择晶体管远离所述阵列共源极的一侧。

10.根据权利要求4-8中任一项所述的编程操作方法，其特征在于，所述顶部辅助单元包括顶部选择晶体管和顶部冗余存储单元，其中所述顶部冗余存储单元与所述顶部选择晶体管相邻且位于所述顶部选择晶体管远离所述位线的一侧。

11.根据权利要求10所述的编程操作方法，其特征在于，所述顶部已编程存储单元与所述顶部冗余存储单元相邻且位于所述顶部冗余存储单元远离所述位线的一侧。