[实用新型]具有较高靶材利用率的靶材组件

说明书

本实用新型公开了一种具有较高靶材利用率的靶材组件，包括多个靶材和底座，多个所述靶材包括两个位于所述底座相对两侧边部的边部靶材、固定于两个所述边部靶材之间的多个中间靶材，每个所述边部靶材的厚度分别厚于每个所述中间靶材，所述边部靶材与所述中间靶材磁控溅射面相齐平，充分利用中间的残余厚度，不浪费残靶，提高制程的保养周期，提高靶材的利用率，降低生产成本。

技术领域

本实用新型涉及磁控溅射镀薄膜领域，尤其是一种具有较高靶材利用率的靶材组件。

背景技术

现有技术中，平面阴极的靶材利用率通常只有20-25％，在磁控溅射镀膜成本中，靶材所占成本比较高，如何提高靶材的利用率是我们需要解决的问题。

通过对磁控溅射镀膜更换下的平面残靶分析后发现，位于平面靶材两头的端头板比中间板更快刻蚀穿透，无法继续使用，但是占靶材绝大部分重量的中间板仍有0.5-1mm的厚度可使用，最终造成整副平面靶材无法使用。

现有专利主要改变靶材形状，从而可以使得二次利用提高效率，改变磁场蚀刻面积，从而提高利用率。但由于现有技术和生产现状导致平面靶材的蚀刻不均匀，利用率非常低，生产成本高。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种具有较高靶材利用率的靶材组件。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种具有较高靶材利用率的靶材组件，包括多个靶材和底座，多个所述靶材包括两个位于所述底座相对两侧边部的边部靶材、固定于两个所述边部靶材之间的多个中间靶材，每个所述边部靶材的厚度分别厚于每个所述中间靶材，所述边部靶材与所述中间靶材磁控溅射面相齐平。

在某些实施方式中，所述底座与所述中间靶材之间垫设有铜垫片。

在某些实施方式中，所述边部靶材通过铜与/或铟焊接在所述底座相应边部，所述铜垫片通过铜与/或铟焊接所述底座中间部，所述中间靶材通过铜与/或铟焊接固定在所述铜垫片上。

在某些实施方式中，所述中间靶材为3个。

在某些实施方式中，每个所述中间靶材厚6mm，每个所述边部靶材厚6.7mm，所述铜垫片厚0.7mm。

在某些实施方式中，每个所述中间靶材的规格为380mm*127mm*6mm，每个所述边部靶材的规格为380mm*127mm*6.7mm，所述铜垫片的规格为1140mm*127mm*0.7mm。

在某些实施方式中，所述底座长2030mm，宽170mm。

本实用新型的范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的（但不限于）具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案等。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：本实用新型靶材组件具有较高靶材利用率，每个靶材都能充分利用，不浪费残靶，使用周期长，即能提高制程的保养周期，提高靶材的利用率，降低生产成本。

附图说明

图1为本实用新型的ITO靶材绑定后的示意图；

图2为本实用新型的ITO靶材绑定后的透视图。

其中：1、中间靶材；2、边部靶材；3、铜垫片；4、底座。

具体实施方式

实施例：

如图1、2所示，一种具有较高靶材利用率的靶材组件，包括五个靶材和底座4，五个所述靶材包括两个位于所述底座4相对两侧边部的边部靶材2、固定于两个所述边部靶材2之间的三个中间靶材1，所述边部靶材2通过铜与/或铟焊接在所述底座4相应边部，所述边部靶材2与所述中间靶材1磁控溅射面相齐平。