[实用新型]一种大尺寸晶圆片减薄系统

说明书

一种大尺寸晶圆片减薄系统，包括用于对晶圆片进行定位并使其上V型槽朝预设位置设置的定位装置；用于对定位后的晶圆片单面进行厚度减薄的减薄装置；以及用于对减薄后的晶圆片的非减薄面进行清洁的清洁装置；其中，减薄装置还可分别对放置晶圆片的减薄台和减薄后的晶圆片的减薄面进行清洗，且清洗减薄台和清洗晶圆片的减薄面非同步进行；减薄时，减薄晶圆片厚度的砂轮磨盘与晶圆片交叉叠放设置；定位装置与清洁装置设于减薄装置的同侧，且定位装置、清洁装置以及减薄装置均相互独立设置。本实用新型结构设计合理且配合精度高，减薄几何参数合格且一致性好，减薄表面质量好且效率高。

技术领域

本实用新型属于半导体硅片加工技术领域，尤其是涉及一种大尺寸晶圆片减薄系统。

背景技术

随着对半导体硅片加工技术的发展和成本的要求，大尺寸晶圆片是为了发展的主要方向，现有晶圆片直径已经可以做到12英寸和18英寸，而且还有望发展更大直径、更薄厚度的半导体晶圆片。而晶圆片直径的增加，减薄时对其几何参数的要求更高，且更难保证几何参数的精确度。

在晶圆片几何参数中，平坦度是重要参数之一，现有减薄过程中，主要出现以下问题：

1、现有技术采用砂轮实心平面磨盘，磨盘与晶圆片全平面接触进行减薄，导致在减薄过程中晶圆片厚度无法实施监控；而且全面接触减薄对晶圆片表面形貌和质量影响较大，晶圆片的几何参数一致性较差。

2、在减薄过程中磨盘上的磨粒被磨掉，容易容易被附在磨盘面上，导致在晶圆片表面容易出现划伤或损裂。

3、同时，由于台面的持续旋转，很多磨损的颗粒被旋转的动力沿台面向外甩切，被夹置在晶圆片与台面之间并在晶圆片靠近外缘附近聚体，导致晶圆片表面容易出现凹坑，导致晶圆片中心与边缘的厚度不一致，致使平坦度不合格，严重时晶圆片的边缘附件被磨出现碎裂，而且在晶圆片表面容易出现划伤。

4、对于被磨损的颗粒若不能及时清理，会严重损坏晶圆片的表面质量及几何参数；无论是台面和晶圆片的表面，都要保持清洁。

5、还有晶圆片随便放置在台面上直接进行减薄磨损，无法准确判断晶圆片在相同时间内的减薄厚度，及时判断厚度变化情况，导致晶圆片追溯困难，尤其是对不良品的调查更不易。

由上分析可知，如何设计一种结构设计合理、配合精度高且工位衔接流畅的减薄系统，最大限度地降低颗粒对晶圆片几何参数的影响，同时提高晶圆片的减薄质量、提高生产效率、降低能耗是高质量、低成本加工大尺寸晶圆片的关键。

实用新型内容

本实用新型提供一种大尺寸晶圆片减薄工艺，解决了现有技术中平坦度几何参数不合格、破片率高、生产成本高的技术问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：

本实用新型提供一种大尺寸晶圆片减薄系统，解决了现有技术中晶圆片减薄几何参数不合格、减薄质量不稳定、减薄效果差的技术问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：

一种大尺寸晶圆片减薄系统，包括：

用于对晶圆片进行定位并使其上V型槽朝预设位置设置的定位装置；

用于对定位后的所述晶圆片单面进行厚度减薄的减薄装置；

以及用于对减薄后的所述晶圆片的非减薄面进行清洁的清洁装置；

其中，所述减薄装置还可分别对放置所述晶圆片的减薄台和减薄后的所述晶圆片的减薄面进行清洗，且清洗所述减薄台和清洗所述晶圆片的减薄面非同步进行；

减薄时，减薄所述晶圆片厚度的砂轮磨盘与所述晶圆片交叉叠放设置；