[实用新型]一种新型高静压单晶硅差压传感器

权利要求书

1.一种新型高静压单晶硅差压传感器，其特征在于：包括烧结底座（1），所述烧结底座（1）的内部粘贴有单晶硅差压传感器芯片（3），所述单晶硅差压传感器芯片（3）通过金丝（2）绑定，所述烧结底座（1）的一侧焊接有烧结连接头（4），所述烧结底座（1）的底部中心处对称固定有低压基座（6）和高压基座（8），所述低压基座（6）和高压基座（8）的底部分别焊接有低压端膜片（7）和高压端膜片（9），所述烧结底座（1）的外表面固定有螺纹连接头（5），所述螺纹连接头（5）的底部分别与低压基座（6）和高压基座（8）焊接，且所述螺纹连接头（5）顶部焊接有螺纹接头（11），所述低压基座（6）和高压基座（8）内分别设有低压油腔（L1-L6）和高压油腔（H1-H6），所述低压油腔（L1-L6）和高压油腔（H1-H6）分别延伸至单晶硅差压传感器芯片（3）的负压面和正压面。

2.根据权利要求1所述的一种新型高静压单晶硅差压传感器，其特征在于：所述低压油腔（L1-L6）和高压油腔（H1-H6）内均填充有真空硅油。

3.根据权利要求1所述的一种新型高静压单晶硅差压传感器，其特征在于：所述烧结底座（1）的顶部通过钎焊固定有低压导油管（L）和高压导油管（H）。

4.根据权利要求1所述的一种新型高静压单晶硅差压传感器，其特征在于：所述单晶硅差压传感器芯片（3）通过金丝（2）与烧结底座（1）的引脚电性连接。

5.根据权利要求1所述的一种新型高静压单晶硅差压传感器，其特征在于：所述烧结底座（1）分别与低压基座（6）和高压基座（8）曲面焊接。

6.根据权利要求1所述的一种新型高静压单晶硅差压传感器，其特征在于：所述低压基座（6）和高压基座（8）采用左右平衡结构焊接，所述低压基座（6）和高压基座（8）之间设有中心隔离膜片（10）且三者同轴心焊接。