[实用新型]一种新型高静压单晶硅差压传感器有效

专利信息
申请号: 202120028828.3 申请日: 2021-01-07
公开(公告)号: CN212871584U 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 童辉;周鹏;宋礼明;朱成伟;陈修 申请(专利权)人: 南京精准传感科技有限公司
主分类号: G01L13/02 分类号: G01L13/02
代理公司: 南京鑫之航知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32410 代理人: 姚兰兰
地址: 210046 江苏省南京市经济*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 静压 单晶硅 传感器
【说明书】:

实用新型公开了一种新型高静压单晶硅差压传感器,包括烧结底座,所述烧结底座的内部粘贴有单晶硅差压传感器芯片并通过金丝绑定,所述烧结底座的一侧焊接有烧结连接头,所述烧结底座的底部关于中心处对称固定有低压基座和高压基座,所述低压基座和高压基座的底部分别焊接有低压端膜片和高压端膜片,所述烧结底座的外表面固定有螺纹连接头,所述低压基座和高压基座内分别设有低压油腔和高压油腔。该新型高静压单晶硅差压传感器结构简单,设计新颖,避免了单晶硅差压传感器芯片受到破坏,达到了高过载性能,另外还具有高、低压油腔油量平衡、输出稳定、高静压和高精度等优点。

技术领域

本实用新型属于传感测量技术领域,具体涉及一种新型高静压单晶硅差压传感器。

背景技术

差压传感器在仪器仪表行业主要用作测量单元,可以检测现场工况的压力值。目前常用的差压传感器存在高压油腔和低压油腔不平衡,导致传感器静压不稳定,高压油腔和低压油腔设计不合理,导致传感器过载能力、输出稳定性、精度等性能不佳。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种新型高静压单晶硅差压传感器,以解决常用的差压传感器存在过载能力、输出稳定性、精度等性能不佳的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种新型高静压单晶硅差压传感器,包括烧结底座,所述烧结底座的内部粘贴有单晶硅差压传感器芯片,所述单晶硅差压传感器芯片通过金丝绑定,所述烧结底座的一侧焊接有烧结连接头,所述烧结底座的底部中心处对称固定有低压基座和高压基座,所述低压基座和高压基座的底部分别焊接有低压端膜片和高压端膜片,所述烧结底座的外表面固定有螺纹连接头,所述螺纹连接头的底部分别与低压基座和高压基座焊接,且所述螺纹连接头顶部焊接有螺纹接头,所述低压基座和高压基座内分别设有低压油腔和高压油腔,所述低压油腔和高压油腔分别延伸至单晶硅差压传感器芯片的负压面和正压面。

优选的,所述低压油腔和高压油腔内均填充有真空硅油。

优选的,所述烧结底座的顶部通过钎焊固定有低压导油管和高压导油管。

优选的,所述单晶硅差压传感器芯片通过金丝与烧结底座的引脚电性连接。

优选的,所述烧结底座分别与低压基座和高压基座曲面焊接。

优选的,所述低压基座和高压基座采用左右平衡结构焊接,所述低压基座和高压基座之间设有中心隔离膜片且三者同轴心焊接。

本实用新型的技术效果和优点:该新型高静压单晶硅差压传感器结构简单,设计新颖,通过设置采用左右平衡结构焊接的低压基座和高压基座,以及设置在低压基座和高压基座之间的中心隔离膜片,避免了单晶硅差压传感器芯片受到破坏,达到了高过载性能,另外还具有高、低压油腔油量平衡、输出稳定、高静压和高精度等优点。

附图说明

图1为本实用新型竖直方向的剖视图。

图中:1、烧结底座;2、金丝;3、单晶硅差压传感器芯片;4、烧结连接头;5、螺纹连接头;6、低压基座;7、低压端膜片;8、高压基座;9、高压端膜片;10、中心隔离膜片;11、螺纹接头;H1-H6:高压油腔;L1-L6:低压油腔;L:低压导油管;H:高压导油管。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

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