[实用新型]一种异质结太阳能电池PECVD设备的真空腔室

说明书

本实用新型公开一种异质结太阳能电池PECVD设备的真空腔室，其特征在于，包括：真空壳体，沉积装置和升降装置；沉积装置设置在真空壳体内腔；升降装置设置在真空壳体底部；沉积装置包括匀气挡板；真空壳体顶面和底面分别开设有进气口和出气口；匀气挡板的侧壁与真空壳体内壁顶部固接；真空壳体内腔中部固接有喷淋板；真空壳体内腔底部设置有承载机构；承载机构的底面与升降装置顶部固接；匀气挡板顶面中部开设有第一匀气孔；第一匀气孔两侧分别对称开设有第二匀气孔；匀气挡板顶面两最外侧分别对称开设有第三匀气孔。

技术领域

本实用新型涉及PECVD设备技术领域，特别是涉及一种异质结太阳能电池PECVD设备的真空腔室。

背景技术

异质结(HIT)太阳能电池采用非晶硅薄膜/单晶硅衬底的异质结结构，这是异质结太阳能电池与传统太阳能电池最大的不同之处，它结合了单晶硅和非晶硅太阳能电池的优点。(1)温度特性优异。异质结电池采用非晶硅/晶硅异质结结构，具有较低的温度系数，仅为-0.25％/℃，并且在相同温度下，随着温度升高，可以比传统的晶体硅太阳能电池板产生更多的电能。(2)低温工艺。HIT电池制备过程中最高的温度就是利用PECVD制备非晶硅薄膜，仅为300℃左右，而传统晶硅电池采用热扩散法，温度可达900℃。低温工艺不仅大大节能，还可以避免硅片的热损伤和变形，于是衬底厚度就可以变薄。(3)较高的开压和效率。本征氢化非晶硅薄膜插入在P层、N层与衬底之间，有效钝化晶硅表面缺陷，降低表面悬挂键密度。带隙不同的非晶硅与单晶硅异质界面的存在，使得HIT电池的量子效率光谱较广。背面的N型衬底和本征氢化非晶硅薄膜与N型氢化非晶硅薄膜形成背表面场，少子在界面的复合得到了有效的控制。(4)低成本。较低的制备温度可以降低能耗，较薄的硅衬底可以减少原料消耗，并且较低的制备温度允许衬底还可以使用品质较低的晶体硅甚至多晶硅材料。两方面使得HIT电池成本明显降低。

异质结太阳能电池的结构中非晶硅薄膜的质量对异质结太阳能电池的性能起决定性作用，而非晶硅薄膜的质量是由薄膜的制备方法和工艺决定的。非晶硅薄膜的制备的方法可以分为两类：一类是利用物理气相蒸发的生长，例如溅射法、真空蒸发法等。一类是利用化学气相沉积的生长，例如等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)、热丝化学气相沉积法、微波等离子回旋共振化学气相沉积法等。

其中PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)法是目前实际生产非晶硅薄膜采用的最多的方法，PECVD设备是借助射频使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在硅片上沉积出所期望的薄膜，被广泛的应用于太阳能电池导电薄膜的制作中。非晶硅薄膜的制备工艺对反应速度和膜层均匀性有一定的要求，尤其是膜层的均匀性是决定异质结太阳能电池最终质量的重要因素。在实际生产中，为了提高电池片的生产效率，增加一次处理的硅片的数量，设备腔体尺寸越来越大。设备腔体尺寸的增加会导致反应气体在两极板间分布的不均匀性变大，反应气体集中在两极板中心位置，四周气体分布逐渐减少。气体在硅片表面的浓度(或压力)分布均匀与否，直接影响薄膜厚度的均匀性，甚至对膜的成分、结构及性能也会产生影响。

因此，在生产异质结太阳能电池的PECVD设备中，如果能够解决气体喷淋均匀性的问题，必将具有广阔的工业应用前景。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种异质结太阳能电池PECVD设备的真空腔室，以解决上述现有技术存在的问题，能够实现使得通过匀气挡板的气流分布均匀化，提高薄膜沉积的质量。

为实现上述目的，本实用新型提供了如下方案：本实用新型提供一种异质结太阳能电池PECVD设备的真空腔室，包括：真空壳体，沉积装置和升降装置；所述沉积装置设置在所述真空壳体内腔；所述升降装置设置在所述真空壳体底部；