[实用新型]一种高功率半导体激光器有效

专利信息
申请号: 202120064876.8 申请日: 2021-01-12
公开(公告)号: CN214124310U 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 王永春;朱兵;李巧英;韩强;陈熙东 申请(专利权)人: 镭凯光电(苏州)有限公司
主分类号: H01S5/022 分类号: H01S5/022;H01S5/0233;H01S5/024
代理公司: 江苏弘扬知识产权代理有限公司 32495 代理人: 龙礼妹
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率 半导体激光器
【权利要求书】:

1.一种高功率半导体激光器,其特征在于,包括由内壳体和外壳体组成的空腔,所述空腔内填充有冷却水,所述外壳体上开设有流水口,所述流水口上连接有密封盖,所述内壳体内设有正极连接板和负极连接板,所述正极连接板和负极连接板之间设有绝缘降温板,所述绝缘降温板穿过所述内壳体伸入所述空腔内,所述正极连接板和负极连接板之间设有激光芯片组,所述激光芯片组包括若干个排列设置的激光芯片,相邻所述激光芯片之间设有间隔片,所述正极连接板与最左侧的激光芯片连接,所述负极连接板与最右侧的激光芯片连接,所述外壳体的上端连接有左连接板和右连接板,所述左连接板和右连接板连接,所述正极连接板连接有正极柱,所述负极连接板连接有负极柱,所述正极柱和负极柱均伸出所述的外壳体。

2.根据权利要求1所述的一种高功率半导体激光器,其特征在于:所述左连接板上连接有连接环,所述右连接板的左端连接有与所述连接环配合的挂环片,且所述左连接板和右连接板均与所述外壳体转动连接。

3.根据权利要求1所述的一种高功率半导体激光器,其特征在于:所述绝缘降温板和所述内壳体之间设有密封圈;所述空腔上设有供所述正极柱和负极柱穿出的穿孔,所述正极柱和穿孔之间、负极柱和穿孔之间均设有绝缘套一,所述正极柱和负极柱上均套设有绝缘套二。

4.根据权利要求3所述的一种高功率半导体激光器,其特征在于:所述绝缘降温板包括绝缘横块,所述绝缘横块的下端连接有绝缘竖板,所述负极连接板和正极连接板上均设有绝缘横块安装槽。

5.根据权利要求4所述的一种高功率半导体激光器,其特征在于:所述绝缘横块安装槽上方的正极连接板中部开设有激光芯片组安装槽,所述绝缘横块安装槽上方的正极连接板的前后侧连接有绝缘材料层。

6.根据权利要求5所述的一种高功率半导体激光器,其特征在于:所述绝缘横块安装槽上方的负极连接板中部开设有激光芯片组安装槽,所述绝缘横块安装槽上方的负极连接板的前后侧连接有绝缘材料层。

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