[实用新型]一种高功率半导体激光器

说明书

本实用新型公开了一种高功率半导体激光器，包括由内壳体和外壳体组成的空腔，外壳体上开设有流水口，流水口上连接有密封盖，内壳体内设有正极连接板和负极连接板，正极连接板和负极连接板之间设有绝缘降温板，正极连接板和负极连接板之间设有激光芯片组，激光芯片组包括若干个排列设置的激光芯片，相邻激光芯片之间设有间隔片，正极连接板与最左侧的激光芯片连接，负极连接板与最右侧的激光芯片连接，外壳体的上端连接有左连接板和右连接板，左连接板和右连接板连接，正极连接板连接有正极柱，负极连接板连接有负极柱，正极柱和负极柱均伸出的外壳体。本实用新型具有结构简单，散热性能好的优点，本实用新型的激光器检修方便。

技术领域

本实用新型属于激光器技术领域，具体是一种高功率半导体激光器。

背景技术

半导体激光器又称激光二极管，是用半导体材料作为工作物质的激光器。随着半导体激光器输出功率、电光转换效率、可靠性和性能稳定性的不断提高、半导体激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面的应用更加广泛，市场需求巨大，发展前景更加广阔，半导体激光器的性能不仅仅受到芯片性能的制约，同时也受散热性能的影响，在半导体激光器内热量堆积温度升高后，对于半导体激光器的出光情况会产生严重影响。

针对现有技术的缺点，目前尚没有解决方案。

发明内容

针对相关技术中的上述技术问题，本实用新型提出一种高功率半导体激光器，能够克服现有技术的上述不足。

为实现上述技术目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种高功率半导体激光器，包括由内壳体和外壳体组成的空腔，所述空腔内填充有冷却水，所述外壳体上开设有流水口，所述流水口上连接有密封盖，所述内壳体内设有正极连接板和负极连接板，所述正极连接板和负极连接板之间设有绝缘降温板，所述绝缘降温板穿过所述内壳体伸入所述空腔内，所述正极连接板和负极连接板之间设有激光芯片组，所述激光芯片组包括若干个排列设置的激光芯片，相邻所述激光芯片之间设有间隔片，所述正极连接板与最左侧的激光芯片连接，所述负极连接板与最右侧的激光芯片连接，所述外壳体的上端连接有左连接板和右连接板，所述左连接板和右连接板连接，所述正极连接板连接有正极柱，所述负极连接板连接有负极柱，所述正极柱和负极柱均伸出所述的外壳体。

进一步的：所述左连接板上连接有连接环，所述右连接板的左端连接有与所述连接环配合的挂环片，且所述左连接板和右连接板均与所述外壳体转动连接。

进一步的：所述绝缘降温板和所述内壳体之间设有密封圈；所述空腔上设有供所述正极柱和负极柱穿出的穿孔，所述正极柱和穿孔之间、负极柱和穿孔之间均设有绝缘套一，所述正极柱和负极柱上均套设有绝缘套二。

进一步的：所述绝缘降温板包括绝缘横块，所述绝缘横块的下端连接有绝缘竖板，所述负极连接板和正极连接板上均设有绝缘横块安装槽。

进一步的：所述绝缘横块安装槽上方的正极连接板中部开设有激光芯片组安装槽，所述绝缘横块安装槽上方的正极连接板的前后侧连接有绝缘材料层。

进一步的：所述绝缘横块安装槽上方的负极连接板中部开设有激光芯片组安装槽，所述绝缘横块安装槽上方的负极连接板的前后侧连接有绝缘材料层。

本实用新型公开了一种高功率半导体激光器，具有结构简单，散热性能好的优点，本实用新型的激光器检修方便。

附图说明

图1是本实用新型一种高功率半导体激光器的结构示意图；

图2是本实用新型正极连接板的结构示意图；

附图标记为：密封盖1、绝缘竖板2、绝缘横块3、负极连接板4、激光芯片5、右连接板6、连接环7、左连接板8、间隔片9、空腔10、正极连接板11、激光芯片组安装槽12、绝缘材料层13、绝缘套二14、正极柱15、外壳体16、内壳体17、绝缘降温板18、绝缘横块安装槽19。